[發明專利]一種氣體分流合流裝置

有效

• 申請號: 201711121821.0
• 申請日: 2017-11-14
• 公開（公告）號: CN107988587B
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 周仁;張寶戈;孫澤江;徐建
• 申請（專利權）人: 沈陽拓荊科技有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/455;H01L21/67
• 代理公司: 沈陽維特專利商標事務所(普通合伙) 21229
• 代理人: 甄玉荃

本發明涉及半導體薄膜沉積設備技術領域，具體地說是一種可通入多種工藝氣體的氣體分流合流裝置，包括合流閥、分流閥及清洗閥，所述的合流閥上設有多個進氣口與一個出氣口，所述的一個進氣口連接一清洗閥，其余進氣口分別對應連接一分流閥。所述合流閥、分流閥及清洗閥內均設有多條彼此獨立的進氣、出氣管道。本發明的優勢在于。本裝置集分流閥，合流閥及清洗閥為一體，同時實現了工藝氣體的分流，閥與閥之間用直接焊接取代VCR以獲得最短連接距離降低了閥體內最短的氣體停滯時間與滯留空間，同時在本裝置上設有加熱基板，可以有效的防止液態源氣體在閥體及管路內凝結。

技術領域

本發明涉及半導體薄膜沉積設備技術領域，具體地說是一種可通入多種工藝氣體的氣體分流合流裝置。

背景技術

在半導體鍍膜工藝過程中，會對多種通入腔體的特殊氣體進行分流、合流、混流及泄流工藝，在不同工藝階段為避免多種氣體在閥體內相遇發生反應產生Particle(雜質顆粒)，需對閥體進行多次吹掃及抽氣清理工藝。現有單一V-block閥功能相對簡單，閥體內部氣路復雜，在對閥體進行吹掃及抽氣時容易在閥體內部形成死角，使氣體在閥體內部殘留，因此需要設計新型氣體分流合流裝置滿足使用要求。

發明內容

為解決現有技術中所存在的問題，本發明提供了一種氣體分流合流裝置，應用在半導體鍍膜沉積設備中，包括合流閥、分流閥及清洗閥，所述的合流閥上設有多個進氣口與一個出氣口，所述的一個進氣口連接一清洗閥，其余進氣口分別對應連接一分流閥。

進一步地，所述合流閥、分流閥及清洗閥內均設有多條彼此獨立的進氣、出氣管道。

進一步地，所述的合流閥上設有三個進氣口與一個出氣口，同時對應設有兩個分流閥與一個清洗閥，三個進氣口中一個進氣口與一個清洗閥連接，另外兩個進氣口分別連接一個分流閥。

進一步地，所述的合流閥上設有進氣口A、進氣口B、進氣口C與一個出氣口A，合流閥內部設有兩個相同的隔膜閥，所述的第一隔膜閥包括一槽A、進氣管A、進氣管B及一出氣管A，所述的進氣管A與進氣管B一端均連通固定在槽A底部，進氣管A另一端與一進氣口A連接，進氣管B的另一端與進氣口B連接，出氣管A一端連通固定在槽A底部，另一端與出氣口A連接；同樣另外第二隔膜閥與第一隔膜閥結構相同，同樣包括一槽D,槽D的底部連通設有進氣管C、進氣管D及出氣管B,進氣管C與進氣口C連通，進氣管D與進氣口B連通，出氣管B與出氣口A連通；

所述的分流閥設置為2個，分別包括一個進氣口D、出氣口B、出氣口C及一組隔膜閥，所述的分流閥的第一隔膜閥內設有槽B、進氣管E與出氣管C，所述的進氣管E一端與槽B內連通，另一端與進氣口D連通，出氣管C一端與槽內連通固定，另一端與出氣口B連通；所述的第二隔膜閥內同樣設有槽C、進氣管F與出氣管D，所述的第二隔膜閥內的進氣管F一端與槽C內連通另一端與進氣口D連通，出氣管D一端與槽C連通固定，另一端與出氣口C連通；

所述的分流閥，上設有一出氣管E，出氣管E與合流閥的進氣口B連通固定；所述的分流閥的出氣管E與合流閥的進氣口A連通；所述的合流閥的進氣口C連通固定一分流閥。

進一步地，所述的合流閥上的兩個隔膜閥相對設置，每個隔膜閥與中間對稱軸呈45度角。

進一步地，在將清洗閥的出氣管D與合流閥的進氣口B進行固定的時候，將清洗閥的進氣管D通過法蘭形式連接固定在合流閥的進氣口B處，合流閥體底部進氣口開燕尾槽，使用o-ring密封，通過螺栓連接將進氣法蘭與合流閥連接。

進一步地，將進氣管B、進氣管D與出氣管E三者連通一體化設計。

進一步地，使用時所述的氣流分流合流裝置可設置為多組，組與組之間上下設置，中間夾設有加熱基板，所述的加熱基板分為三層，中間為加熱板，上下兩層為固定板。

進一步地，所述的出氣管A與出氣管B在出氣口A處合并成一條管道通道。