[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711121383.8
• 申請(qǐng)日: 2017-11-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109778147B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王福來(lái)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/505
• 分類號(hào): C23C16/505
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

本發(fā)明提供一種反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備，在反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有基座和噴淋裝置，基座包括用于承載晶片的承載面；噴淋裝置位于承載面上方，用于朝向承載面噴出工藝氣體，還包括遮擋盤(pán)和驅(qū)動(dòng)裝置，在驅(qū)動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)下，遮擋盤(pán)能夠移動(dòng)至位于基座與噴淋裝置之間的第一位置，以完全遮擋承載面；或者，移動(dòng)至不遮擋承載面的第二位置。本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室，其可以保證射頻系統(tǒng)正常工作，減少射頻系統(tǒng)的復(fù)雜性，降低射頻系統(tǒng)的成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備。

背景技術(shù)

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，以下簡(jiǎn)稱PECVD)設(shè)備的主要應(yīng)用是在硅晶圓或藍(lán)寶石晶圓表面沉積一層SiO₂/SiN_x薄膜，目前該種設(shè)備已經(jīng)大量應(yīng)用在相關(guān)半導(dǎo)體領(lǐng)域。

現(xiàn)有的PECVD設(shè)備包括反應(yīng)腔室，且在反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有用于承載晶片的加熱器，并且在加熱器的上方設(shè)置有噴淋裝置，用于向加熱器上的晶片噴出工藝氣體。根據(jù)工藝需求或者溫度、均勻性等需要，通常需要在進(jìn)行工藝的過(guò)程中暫停對(duì)晶片的沉積工藝，并對(duì)晶片進(jìn)行加熱，使之達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，然后再重新開(kāi)始沉積工藝。

目前采用的暫停對(duì)晶片的沉積工藝的方法是對(duì)射頻系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)整，以能夠關(guān)閉射頻網(wǎng)絡(luò)，從而停止工藝。具體是通過(guò)關(guān)閉匹配器中的射頻網(wǎng)絡(luò)線路來(lái)實(shí)現(xiàn)。但是，這會(huì)在實(shí)際應(yīng)用中存在以下問(wèn)題：

其一，關(guān)閉射頻網(wǎng)絡(luò)可能會(huì)影響射頻系統(tǒng)的工作。

其二，對(duì)射頻系統(tǒng)的調(diào)整會(huì)增加射頻系統(tǒng)的復(fù)雜性。

其三，增加了射頻系統(tǒng)的成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一，提出了一種反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備，其可以保證射頻系統(tǒng)正常工作，減少射頻系統(tǒng)的復(fù)雜性，降低射頻系統(tǒng)的成本。

為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種反應(yīng)腔室，在所述反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有基座和噴淋裝置，所述基座包括用于承載晶片的承載面；所述噴淋裝置位于所述承載面上方，用于朝向所述承載面噴出工藝氣體，還包括遮擋盤(pán)和驅(qū)動(dòng)裝置，在所述驅(qū)動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)下，所述遮擋盤(pán)能夠移動(dòng)至位于所述基座與所述噴淋裝置之間的第一位置，以完全遮擋所述承載面；或者，移動(dòng)至不遮擋所述承載面的第二位置。

優(yōu)選的，所述遮擋盤(pán)包括至少兩個(gè)折疊分體，至少兩個(gè)所述折疊分體的第一端軸接，至少兩個(gè)所述折疊分體的第二端能夠相互分離，以使至少兩個(gè)所述折疊分體在所述第一位置時(shí)，展開(kāi)形成圓盤(pán)狀；或者至少兩個(gè)所述折疊分體的第二端能夠相互重疊，以使至少兩個(gè)所述折疊分體在所述第二位置時(shí)，相互折疊形成條狀。

優(yōu)選的，所述驅(qū)動(dòng)裝置包括驅(qū)動(dòng)軸組件，所述驅(qū)動(dòng)軸組件包括內(nèi)軸和套設(shè)在所述內(nèi)軸周圍的外軸，其中，

所述內(nèi)軸設(shè)置在所述基座的外側(cè)，且與所有的所述折疊分體的所述第一端連接，用于驅(qū)動(dòng)所有的所述折疊分體同步旋轉(zhuǎn)至所述第一位置或者第二位置；

所述外軸與最靠近所述基座的一個(gè)所述折疊分體的所述第二端連接，用于驅(qū)動(dòng)該折疊分體旋轉(zhuǎn)至所述第一位置，以使至少兩個(gè)所述折疊分體展開(kāi)形成圓盤(pán)狀；或者驅(qū)動(dòng)該折疊分體旋轉(zhuǎn)至所述第二位置，以使至少兩個(gè)所述折疊分體相互折疊形成條狀。

優(yōu)選的，所述驅(qū)動(dòng)裝置還包括電機(jī)和氣缸，其中，所述電機(jī)用于驅(qū)動(dòng)所述內(nèi)軸旋轉(zhuǎn)；所述氣缸用于驅(qū)動(dòng)所述外軸旋轉(zhuǎn)。

優(yōu)選的，所述承載面為多個(gè)，且沿所述基座的任意半徑的圓周對(duì)稱分布；所述噴淋裝置的數(shù)量與所述承載面的數(shù)量相同，且一一對(duì)應(yīng)地設(shè)置；

所述遮擋盤(pán)為一個(gè)，且在位于所述第一位置時(shí)，能夠完全遮擋其中一個(gè)所述承載面；或者，所述遮擋盤(pán)的數(shù)量與所述承載面的數(shù)量相同，且各個(gè)所述遮擋盤(pán)在位于所述第一位置時(shí)，能夠一一對(duì)應(yīng)地完全遮擋各個(gè)所述承載面。