[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備

有效

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• 申請日: 2017-11-14
• 公開（公告）號: CN109778147B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王福來
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C16/505
• 分類號: C23C16/505
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種反應(yīng)腔室，在所述反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有基座和噴淋裝置，所述基座包括用于承載晶片的承載面；所述噴淋裝置位于所述承載面上方，用于朝向所述承載面噴出工藝氣體，其特征在于，還包括遮擋盤和驅(qū)動裝置，在所述驅(qū)動裝置的驅(qū)動下，所述遮擋盤能夠移動至位于所述基座與所述噴淋裝置之間的第一位置，以完全遮擋所述承載面；或者，移動至不遮擋所述承載面的第二位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述遮擋盤包括至少兩個折疊分體，至少兩個所述折疊分體的第一端軸接，至少兩個所述折疊分體的第二端能夠相互分離，以使至少兩個所述折疊分體在所述第一位置時，展開形成圓盤狀；或者至少兩個所述折疊分體的第二端能夠相互重疊，以使至少兩個所述折疊分體在所述第二位置時，相互折疊形成條狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述驅(qū)動裝置包括驅(qū)動軸組件，所述驅(qū)動軸組件包括內(nèi)軸和套設(shè)在所述內(nèi)軸周圍的外軸，其中，

所述內(nèi)軸設(shè)置在所述基座的外側(cè)，且與所有的所述折疊分體的所述第一端連接，用于驅(qū)動所有的所述折疊分體同步旋轉(zhuǎn)至所述第一位置或者第二位置；

所述外軸與最靠近所述基座的一個所述折疊分體的所述第二端連接，用于驅(qū)動該折疊分體旋轉(zhuǎn)至所述第一位置，以使至少兩個所述折疊分體展開形成圓盤狀；或者驅(qū)動該折疊分體旋轉(zhuǎn)至所述第二位置，以使至少兩個所述折疊分體相互折疊形成條狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述驅(qū)動裝置還包括電機和氣缸，其中，所述電機用于驅(qū)動所述內(nèi)軸旋轉(zhuǎn)；所述氣缸用于驅(qū)動所述外軸旋轉(zhuǎn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述承載面為多個，且沿所述基座的任意半徑的圓周對稱分布；所述噴淋裝置的數(shù)量與所述承載面的數(shù)量相同，且一一對應(yīng)地設(shè)置；

所述遮擋盤為一個，且在位于所述第一位置時，能夠完全遮擋其中一個所述承載面；或者，所述遮擋盤的數(shù)量與所述承載面的數(shù)量相同，且各個所述遮擋盤在位于所述第一位置時，能夠一一對應(yīng)地完全遮擋各個所述承載面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述承載面為多個，且沿所述基座的任意半徑的圓周對稱分布；所述噴淋裝置的數(shù)量與所述承載面的數(shù)量相同，且一一對應(yīng)地設(shè)置；

所述遮擋盤為一個；

所述反應(yīng)腔室還包括旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，所述旋轉(zhuǎn)機構(gòu)用于驅(qū)動所述遮擋盤圍繞所述基座旋轉(zhuǎn)，以使所述遮擋盤能夠旋轉(zhuǎn)至與任意一個所述承載面相對應(yīng)的位置處。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)機構(gòu)包括中心軸、齒輪盤、主動齒輪和驅(qū)動源，其中，

所述齒輪盤設(shè)置在所述基座的下方，且在所述齒輪盤的外周壁形成外齒輪；

所述中心軸與所述齒輪盤的中心可旋轉(zhuǎn)的連接，用于支撐所述齒輪盤；

所述主動齒輪與所述齒輪盤的外齒輪相嚙合；

所述驅(qū)動源用于驅(qū)動所述主動齒輪旋轉(zhuǎn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述驅(qū)動源位于所述反應(yīng)腔室的外部，且所述驅(qū)動源的驅(qū)動軸自所述反應(yīng)腔室的底部貫穿腔室壁，并延伸至所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部。

9.一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8任意一項所述的反應(yīng)腔室。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體加工設(shè)備為等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備。