[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201711116668.2
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN108074902B
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 近松健太郎;齊藤光俊;吉持賢一
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發明提供一種半導體器件，該半導體器件包括引線框架、晶體管、和密封樹脂。引線框架具有漏極框架、源極框架、和柵極框架。漏極框架具有多個漏極框架指形部。源極框架具有多個源極框架指形部。漏極框架指形部和源極框架指形部在第1方向上交替地配置，且具有從第1方向看彼此重疊的部分。從第1方向看在漏極框架指形部和源極框架指形部彼此重疊的區域，漏極框架指形部和源極框架指形部的至少一者不從密封樹脂的背面露出。

技術領域

本發明涉及半導體器件。

背景技術

半導體器件包括：晶體管；配置晶體管的裸芯片焊盤(die pad)；引線框架；將晶體管的各電極連接到引線框架的接合線；和將晶體管和接合線密封的密封樹脂(例如參照日本特開2012-178416號公報)。

有時會因將晶體管的各電極與引線框架連接的接合線而導致電感增加。

發明內容

本發明的目的在于抑制電感的增加。

為了達成上述目的，半導體器件包括引線框架、晶體管、和密封樹脂。上述晶體管在一個面上具有多個漏極電極焊盤、多個源極電極焊盤、和柵極電極焊盤。上述晶體管中，上述各電極焊盤與上述引線框架的正面相對地配置，并且上述晶體管與上述引線框架連接。上述密封樹脂形成為矩形板狀，以在背面露出上述引線框架的一部分的方式將上述晶體管和上述引線框架密封。上述引線框架包括：與上述漏極電極焊盤電連接的漏極框架、與上述源極電極焊盤電連接的源極框架、和與上述柵極電極焊盤電連接的柵極框架。上述漏極框架具有多個漏極框架指形部。上述多個漏極框架指形部在第1方向上隔開間隔排列，俯視時沿與上述第1方向正交的第2方向延伸，且與上述漏極電極焊盤連接。上述源極框架具有多個源極框架指形部。上述多個源極框架指形部在上述第1方向上隔開間隔排列，沿上述第2方向延伸，且與上述源極電極焊盤連接。上述漏極框架指形部和上述源極框架指形部在上述第1方向上交替地配置，且具有從上述第1方向看彼此重疊的部分。從上述第1方向看在上述漏極框架指形部和上述源極框架指形部彼此重疊的區域，上述漏極框架指形部和上述源極框架指形部的至少一者不從密封樹脂的背面露出。

本發明可以認為是新創的特征，特別是根據附加的權利要求書而明了。伴隨目的和利益的本發明，通過參照以下所示的當前的優選的實施方式的說明和附圖，能夠理解。

附圖說明

圖1是半導體器件的第1實施方式的立體圖。

圖2是圖1的半導體器件的晶體管的俯視圖。

圖3是圖1的半導體器件的引線框架的俯視圖。

圖4是圖3的引線框架的立體圖。

圖5是圖3的5-5線的截面圖。

圖6是圖3的6-6線的截面圖。

圖7是圖3的側視圖。

圖8是在引線框架上安裝了晶體管的狀態的俯視圖。

圖9是圖1的半導體器件的底視圖。

圖10是表示半導體器件的制造方法的流程圖。

圖11是現有的半導體器件的底視圖。

圖12是表示在電路襯底的焊墊圖案上安裝半導體器件的樣子的立體圖。

圖13是晶體管的一部分的俯視圖。

圖14A是將圖13的一部分放大的俯視圖。

圖14B是將圖13的一部分放大的俯視圖。

圖15是圖14A的15-15線的截面圖。

圖16是使用了半導體器件的DC/DC轉換器的電路圖。