[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201711116668.2
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN108074902B
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 近松健太郎;齊藤光俊;吉持賢一
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

引線框架；

晶體管，其在一個面上具有多個漏極電極焊盤、多個源極電極焊盤、和柵極電極焊盤，各所述電極焊盤與所述引線框架的正面相對地配置，并且與所述引線框架連接；和

密封樹脂，其形成為矩形板狀，以在背面露出所述引線框架的一部分的方式密封所述晶體管和所述引線框架，

所述引線框架包括：與所述漏極電極焊盤電連接的漏極框架；與所述源極電極焊盤電連接的源極框架；和與所述柵極電極焊盤電連接的柵極框架，

所述漏極框架具有多個漏極框架指形部，

所述多個漏極框架指形部在第1方向上隔開間隔地排列，俯視時沿與所述第1方向正交的第2方向延伸，并且與所述漏極電極焊盤連接，

所述源極框架具有多個源極框架指形部，

所述多個源極框架指形部在所述第1方向上隔開間隔地排列，沿所述第2方向延伸，并且與所述源極電極焊盤連接，

所述漏極框架指形部和所述源極框架指形部在所述第1方向上交替地配置，并且具有從所述第1方向看彼此重疊的部分，

從所述第1方向看在所述漏極框架指形部和所述源極框架指形部彼此重疊的區域中，所述漏極框架指形部與所述源極框架指形部的至少一者沒有從密封樹脂的背面露出，

從所述第1方向看在所述漏極框架指形部與所述源極框架指形部彼此重疊的區域中，所述漏極框架指形部和所述源極框架指形部的一者從所述密封樹脂的背面露出，而所述漏極框架指形部和所述源極框架指形部的另一者沒有從密封樹脂的背面露出。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

從所述第1方向看在所述漏極框架指形部和所述源極框架指形部彼此重疊的區域中，所述漏極框架指形部從所述密封樹脂的背面露出，而所述源極框架指形部沒有從密封樹脂的背面露出。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于：

所述漏極框架具有漏極端子，該漏極端子在所述第2方向上在所述密封樹脂的一側形成有多個，并且在所述第1方向上隔開間隔地排列，

所述源極框架具有源極端子，該源極端子在所述第2方向上在所述密封樹脂的另一側形成有多個，并且在所述第1方向上隔開間隔地排列，

所述晶體管在所述第2方向上配置成靠所述源極端子。

4.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于：

在所述第2方向上所述源極框架指形部的長度比所述漏極框架指形部的長度短。

5.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于：

所述漏極框架指形部具有所述漏極端子側的第1部分和從所述第1部分向所述源極端子去連續地延伸的第2部分，

所述第1部分位于比所述源極框架指形部的前端靠所述漏極端子側的位置，

所述第1部分的寬度比所述第2部分的寬度寬。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于：

所述第1部分具有與所述第2部分相連續的基部和在所述第1方向上從所述基部的兩側突出的凸緣部，

所述凸緣部的厚度比所述基部的厚度薄。

7.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于：

在所述源極框架指形部中從所述第1方向看與所述漏極框架指形部重疊的部分的厚度，形成得比所述漏極框架指形部的最大厚度薄。

8.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于：

所述源極框架具有連結多個所述源極框架指形部的源極連結部，

所述源極框架指形部從所述源極連結部沿所述第2方向延伸，沒有從所述密封樹脂的背面露出。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于：

所述源極連結部的厚度比所述漏極框架指形部的厚度薄。

10.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于：

在所述第2方向上，所述漏極框架指形部的所述源極端子側的前端部沒有從所述密封樹脂的背面露出。