[發(fā)明專利]圖像檢測(cè)裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711116403.2
• 申請(qǐng)日: 2017-11-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109326617B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張朝欽;李昇展;周正賢;黃琮偉;林明輝;林藝民
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;王芝艷

1.一種圖像檢測(cè)裝置的制造方法，包括︰

提供具有一前表面及一背表面的一基底；

自該前表面去除基底的一第一部分，以于該基底內(nèi)形成一第一溝槽；

形成一第一隔離結(jié)構(gòu)于該第一溝槽內(nèi)，其中該第一隔離結(jié)構(gòu)具有一上表面背向于該背表面；

自該上表面去除該第一隔離結(jié)構(gòu)的一第二部分及去除該基底的一第三部分，以形成穿過(guò)該第一隔離結(jié)構(gòu)并延伸于該基底內(nèi)的一第二溝槽；

形成一第二隔離結(jié)構(gòu)于該第二溝槽內(nèi)；

形成一光檢測(cè)區(qū)于該基底內(nèi)且鄰近于該前表面，其中該第二隔離結(jié)構(gòu)圍繞該光檢測(cè)區(qū)；以及

自該背表面去除該基底的一第四部分，以露出該第二隔離結(jié)構(gòu)的一第一底部及該光檢測(cè)區(qū)的一背側(cè)。

2.如權(quán)利要求1所述的圖像檢測(cè)裝置的制造方法，其中形成該第二隔離結(jié)構(gòu)于該第二溝槽內(nèi)包括：

實(shí)施一等離子體輔助原子層沉積制程，以形成一絕緣層于該前表面上方及該第二溝槽內(nèi)；以及

去除該第二溝槽以外的該絕緣層，其中余留于該第二溝槽內(nèi)的該絕緣層形成該第二隔離結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述的圖像檢測(cè)裝置的制造方法，還包括：

在形成該第二溝槽之后且在形成該第二隔離結(jié)構(gòu)之前，形成一鈍化護(hù)層于該第二溝槽內(nèi)，以覆蓋該第二溝槽的一內(nèi)壁及一下表面，其中該鈍化護(hù)層摻雜了硼、磷、氮、砷或氟，該第二隔離結(jié)構(gòu)形成于該鈍化護(hù)層上，且去除該基底的該第四部分還包括去除該鈍化護(hù)層的一第二底部。

4.如權(quán)利要求3所述的圖像檢測(cè)裝置的制造方法，其中形成該鈍化護(hù)層及該第二隔離結(jié)構(gòu)包括：

實(shí)施一第一等離子體輔助原子層沉積制程，以形成摻雜了硼、磷、氮、砷或氟的一第一絕緣層于該前表面上及該第二溝槽內(nèi)；

實(shí)施一第二等離子體輔助原子層沉積制程，以形成一第二絕緣層于該第一絕緣層上；以及

去除該第二溝槽以外的該第一絕緣層及該第二絕緣層，其中余留于該第二溝槽內(nèi)的該第一絕緣層形成該鈍化護(hù)層，而余留于該第二溝槽內(nèi)的該第二絕緣層形成該第二隔離結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的圖像檢測(cè)裝置的制造方法，還包括︰

在形成該第一隔離結(jié)構(gòu)之后且在形成該第二溝槽之前，形成一保護(hù)層于該前表面及該第一隔離結(jié)構(gòu)上，其中該第二溝槽更穿過(guò)該保護(hù)層，且去除該第二溝槽以外的該第一絕緣層及該第二絕緣層還包括去除該保護(hù)層。

6.如權(quán)利要求5所述的圖像檢測(cè)裝置的制造方法，還包括︰

在形成該第一溝槽之前，形成一停止層于該前表面上，其中該第一溝槽穿過(guò)該停止層，該保護(hù)層形成于該停止層上，且該停止層于去除該保護(hù)層之后去除。

7.如權(quán)利要求5所述的圖像檢測(cè)裝置的制造方法，其中去除該第二溝槽以外的該第一絕緣層及該第二絕緣層以及去除該保護(hù)層包括︰

實(shí)施一化學(xué)機(jī)械研磨制程，以去除該第二溝槽以外的該第一絕緣層及該第二絕緣層以及去除該保護(hù)層。

8.如權(quán)利要求1所述的圖像檢測(cè)裝置的制造方法，其中去除該基底的該第四部分包括︰

自該背表面薄化該基底，以露出該第二隔離結(jié)構(gòu)的該第一底部及該光感測(cè)區(qū)的該背側(cè)。

9.如權(quán)利要求1所述的圖像檢測(cè)裝置的制造方法，還包括︰

在形成該光感測(cè)區(qū)之后且在去除該基底的該第四部分之前，形成一主動(dòng)裝置或一被動(dòng)裝置于該前表面上。

10.如權(quán)利要求1所述的圖像檢測(cè)裝置的制造方法，還包括︰

在去除該基底的該第四部分之后，形成一彩色濾光片于該背表面上方。