[發明專利]圖像檢測裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201711116403.2
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN109326617B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 張朝欽;李昇展;周正賢;黃琮偉;林明輝;林藝民
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;王芝艷

一種圖像檢測裝置的制造方法，包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分，以形成一第一溝槽。上述方法包括形成一第一隔離結構于第一溝槽內，第一隔離結構具有上表面。上述方法包括去除第一隔離溝槽的一第二部分及基底的一第三部分，以形成穿過第一隔離結構并延伸于基底內的一第二溝槽。上述方法包括形成一第二隔離結構于第二溝槽內。上述方法包括形成一光檢測區于基底內。上述方法包括去除基底的一第四部分，以露出第二隔離結構的一第一底部及光檢測區的背側。

技術領域

本發明實施例關于一種半導體技術，且特別是關于一種圖像檢測裝置及其制造方法。

背景技術

半導體集成電路(IC)工業已經經歷了快速增長。而IC材料和設計方面的技術進展也已經產生了多個IC世代。每一世代IC都比前一世代IC具有更小和更復雜的電路。然而，這些進展也已增加處理和制造IC的復雜度。

在IC演進的過程中，功能密度(即，每晶片面積的內連裝置的數量)普遍增大，而幾何尺寸(即，可以使用制造制程產生的最小部件(或線))卻減小。這種按比例縮小制程通常因生產效率提高及相關成本降低而帶來了益處。

然而，由于特征部件(feature)尺寸不斷減小，因而其制造變得更加難以實施。因此，在尺寸越來越小的情形下形成可靠的半導體裝置(例如，圖像檢測裝置)成為了一種挑戰。

發明內容

根據一些實施例，本公開提供一種圖像檢測裝置的制造方法，包括︰提供具有一前表面及一背表面的一基底；自前表面去除基底的一第一部分，以于基底內形成一第一溝槽；形成一第一隔離結構于第一溝槽內，其中第一隔離結構具有一上表面背向于背表面；自上表面去除第一隔離溝槽的一第二部分及去除基底的一第三部分，以形成穿過第一隔離結構并延伸于基底內的一第二溝槽；形成一第二隔離結構于第二溝槽內；形成一光檢測區于基底內且鄰近于前表面，其中第二隔離結構圍繞光檢測區；以及自背表面去除基底的一第四部分，以露出第二隔離結構的一第一底部及光檢測區的一背側。

根據一些實施例，本公開提供一種圖像檢測裝置的制造方法，包括︰提供具有一前表面及一背表面的一基底；形成一第一隔離結構于基底內，其中第一隔離結構局部突出于前表面；形成一溝槽穿過第一隔離結構并延伸于基底內；形成一第二隔離結構于溝槽內；形成一光檢測區于基底內，其中第二隔離結構圍繞光檢測區；以及自背表面薄化基底，以露出第二隔離結構的一第一底部及光檢測區的一背側。

根據一些實施例，本公開提供一種圖像檢測裝置包括︰一基底，具有一前表面、一背表面以及一光檢測區；一第一隔離結構，位于基底內且鄰近于前表面，其中第一隔離結構局圍繞光檢測區；以及一第二隔離結構，穿過第一隔離結構及位于第一隔離結構下方的基底，其中第二隔離結構局圍繞光檢測區以及一部分的第一隔離結構。

附圖說明

圖1A至1J繪示出根據一些實施例的圖像檢測裝置的制造方法于各個階段的剖面示意圖。

圖1B-1繪示出根據一些實施例的圖1B的圖像檢測裝置的上視圖。

圖1D-1繪示出根據一些實施例的圖1D的圖像檢測裝置的上視圖。

圖1G-1繪示出根據一些實施例的圖1G的圖像檢測裝置的上視圖。

【符號說明】

100 圖像檢測裝置

110 半導體基底

111、113 部分

112 前表面

114 背表面

116 光檢測區

116a 背側

116R 像素區

117 非光檢測區