[發(fā)明專利]用于間距倍增的集成電路制造

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711116157.0
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN107731665B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313
• 代理人: 張臻賢;武晨燕

1.一種集成電路間距倍增方法，其特征在于，包括：

形成多個占位部件于襯底上，每兩個所述占位部件之間由一個占位溝槽隔開，所述占位部件包括犧牲層以及覆蓋于所述犧牲層頂部的阻擋層，所述阻擋層不直接接觸所述襯底；

沉積間隔材料層在所述占位部件的頂部和側(cè)壁以及所述占位溝槽的底部；以及

移除位于所述占位部件的頂部和所述占位溝槽的底部的所述間隔材料層，并移除所述占位部件以形成在所述襯底上的間隔部件，其中，所述間隔部件包括保留于所述占位部件兩側(cè)壁的所述間隔材料層；

所述間隔材料層包括硬度大于所述犧牲層的含氧化合物，移除所述間隔材料層，并移除所述占位部件的步驟包括：

第一次蝕刻，包括蝕刻位于所述占位部件的頂部以及所述占位溝槽的底部的所述間隔材料層，以及蝕刻部分的所述阻擋層；

第二次蝕刻，包括蝕刻剩余的所述阻擋層以及蝕刻部分的所述犧牲層；以及

剝離剩余的所述犧牲層，在所述第一次蝕刻時，包括使用四氟化碳氣體和三氟化碳氣體，且所述四氟化碳氣體的用量大于所述三氟化碳氣體的用量；在所述第二次蝕刻時，包括使用所述四氟化碳氣體和所述三氟化碳氣體，且所述四氟化碳氣體的用量小于所述三氟化碳氣體的用量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述間隔材料層包括硬度大于所述犧牲層的含氮化合物，移除所述間隔材料層，并移除所述占位部件的步驟包括：

蝕刻所述阻擋層、位于所述阻擋層側(cè)壁和頂部的所述間隔材料層以及位于所述占位溝槽底部的所述間隔材料層，保留犧牲層以及位于所述犧牲層兩側(cè)壁的所述間隔材料層；以及剝離所述犧牲層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述間隔部件包括第一間隔部件、第二間隔部件、和第三間隔部件；以及所述占位部件包括第一占位部件和與所述第一占位部件相鄰的第二占位部件，其中，所述第一占位部件與所述第二占位部件寬度相等，由位于所述第一占位部件兩側(cè)的間隔材料層構(gòu)成所述第一間隔部件和所述第二間隔部件，以及由位于所述第二占位部件臨近所述第一占位部件一側(cè)的間隔材料層構(gòu)成所述第三間隔部件，以及

所述集成電路間距倍增方法還包括根據(jù)以下公式將第一最終間距和第二最終間距的比例調(diào)整為預(yù)設(shè)比例：

其中，所述第一最終間距為所述第一間隔部件與所述第二間隔部件之間的距離，所述第二最終間距為所述第二間隔部件與所述第三間隔部件之間的距離，A為所述占位部件的寬度，B為所述占位溝槽的寬度，C為位于所述占位部件側(cè)壁的所述間隔材料層的厚度，r為所述預(yù)設(shè)比例。

4.一種集成電路制造方法，包括根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的集成電路間距倍增方法。