[發(fā)明專利]一種雙面覆銅陶瓷基板單面銅箔上開孔的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711116101.5
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN108161253B
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 戴洪興;賀賢漢;陳紅梅;祝林;張保國
• 申請（專利權(quán)）人: 上海申和熱磁電子有限公司
• 主分類號: H05K3/06
• 分類號: H05K3/06
• 代理公司: 上海順華專利代理有限責任公司 31203
• 代理人: 顧雯

本發(fā)明提供一種雙面覆銅陶瓷基板單面銅箔上開孔的方法，在設(shè)計產(chǎn)品菲林圖紙時，將單面銅箔上需開的圓孔設(shè)計成一個圓環(huán)，而不是直接一個圓，圓環(huán)內(nèi)圈直徑隨銅箔厚度而變化；腐蝕時將圓環(huán)處銅箔蝕刻掉，而圓環(huán)內(nèi)圈底部與陶瓷不蝕刻仍相連。蝕刻液不會從圓環(huán)內(nèi)圈底部處經(jīng)陶瓷孔流入另一面銅箔內(nèi)表面。腐蝕結(jié)束后，用手或工具觸碰圓環(huán)內(nèi)圈表面，內(nèi)圈即會與陶瓷斷開并掉下，單面銅箔上形成圓孔；產(chǎn)品良率和生產(chǎn)效率高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造、LED、光通訊領(lǐng)域，特別適用于半導(dǎo)體制冷器、LED、功率半導(dǎo)體等DBC基板制造。

背景技術(shù)

用于某些特殊場合的雙面覆銅陶瓷基板（DBC）需在單面銅箔1上開孔，另一面銅箔2不開孔，焊接器件3穿過單面開孔的銅箔及陶瓷板5上孔，與另一面不開孔的銅箔內(nèi)表面焊接4。見圖1。用通常的菲林設(shè)計方法制作此類產(chǎn)品比較困難：腐蝕時蝕刻液會通過單面銅箔上孔流入到另一面銅箔內(nèi)表面，使其表面腐蝕，造成產(chǎn)品報廢。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明提供一種雙面覆銅陶瓷基板單面銅箔上開孔的方法，通過菲林圖形的設(shè)計，單面銅箔上的孔可直接蝕刻得到，對另一面無孔的銅箔內(nèi)表面沒有任何影響，生產(chǎn)效率大幅提高。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種雙面覆銅陶瓷基板單面銅箔上開孔的方法，具體步驟如下：

步驟一、按產(chǎn)品尺寸要求，在陶瓷板上激光開孔，開設(shè)的陶瓷板圓孔直徑為d；

步驟二、在步驟一所述的陶瓷板正反面覆上銅箔；

步驟三、設(shè)計單面銅箔上開圓孔的菲林尺寸，將開孔設(shè)計成圓環(huán)，圓環(huán)中心位置與陶瓷板圓孔中心位置相同；圓環(huán)內(nèi)圈直徑D隨銅箔厚度不同而變化：

D(mm)= d+2*(銅箔側(cè)腐蝕修正量)

步驟四、腐蝕時確保圓環(huán)處銅箔蝕刻干凈，同時圓環(huán)內(nèi)圈底部與陶瓷不蝕刻仍相連；使得蝕刻液不會流入另一面銅箔內(nèi)表面，但圓環(huán)內(nèi)圈底部與陶瓷相連厚度很簿；

步驟五、腐蝕結(jié)束后觸碰圓環(huán)內(nèi)圈表面，內(nèi)圈即會與陶瓷斷開并掉下完成單面銅箔上開孔。

進一步的，步驟五中，腐蝕結(jié)束后用手觸碰圓環(huán)內(nèi)圈表面，內(nèi)圈即會與陶瓷斷開并掉下。方便快捷。

進一步的，步驟三中，銅箔側(cè)腐蝕修正量具體如下：

銅箔厚度(mm) 側(cè)腐蝕修正量(mm)

0.10 0.02～0.07

0.20 0.04～0.12

0.25 0.07～0.16

0.30 0.10～0.23

0.40 0.16～0.28

0.50 0.23～0.35。

本發(fā)明的有益效果是：

1、在設(shè)計產(chǎn)品菲林圖紙時，將單面銅箔上需開的圓孔設(shè)計成一個圓環(huán)，而不是直接一個圓，圓環(huán)內(nèi)圈直徑隨銅箔厚度而變化。

2、腐蝕時將圓環(huán)處銅箔蝕刻掉，而圓環(huán)內(nèi)圈底部與陶瓷不蝕刻仍相連。蝕刻液不會從圓環(huán)內(nèi)圈底部處經(jīng)陶瓷孔流入另一面銅箔內(nèi)表面。腐蝕結(jié)束后，用手或工具觸碰圓環(huán)內(nèi)圈表面，內(nèi)圈即會與陶瓷斷開并掉下，單面銅箔上形成圓孔。

3、產(chǎn)品良率和生產(chǎn)效率高。

附圖說明