[發(fā)明專利]一種雙面覆銅陶瓷基板單面銅箔上開孔的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711116101.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108161253B | 公開(公告)日: | 2019-10-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 戴洪興;賀賢漢;陳紅梅;祝林;張保國 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海申和熱磁電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05K3/06 | 分類號(hào): | H05K3/06 |
| 代理公司: | 上海順華專利代理有限責(zé)任公司 31203 | 代理人: | 顧雯 |
| 地址: | 200444 上海市寶*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單面銅箔 圓環(huán)內(nèi)圈 雙面覆銅 陶瓷基板 上開孔 銅箔 圓環(huán) 圓孔 陶瓷 腐蝕 蝕刻 產(chǎn)品良率 生產(chǎn)效率 銅箔蝕刻 內(nèi)表面 蝕刻液 陶瓷孔 觸碰 掉下 菲林 內(nèi)圈 斷開 圖紙 | ||
1.一種雙面覆銅陶瓷基板單面銅箔上開孔的方法,其特征在于:具體步驟如下:
步驟一、按產(chǎn)品尺寸要求,在陶瓷板上激光開孔,開設(shè)的陶瓷板圓孔直徑為d;
步驟二、在步驟一所述的陶瓷板正反面覆上銅箔;
步驟三、設(shè)計(jì)單面銅箔上開圓孔的菲林尺寸,將開孔設(shè)計(jì)成圓環(huán),圓環(huán)中心位置與陶瓷板圓孔中心位置相同;圓環(huán)內(nèi)圈直徑D隨銅箔厚度不同而變化:
D(mm)= d+2*銅箔側(cè)腐蝕修正量
步驟四、腐蝕時(shí)確保圓環(huán)處銅箔蝕刻干凈,同時(shí)圓環(huán)內(nèi)圈底部與陶瓷不蝕刻仍相連;
步驟五、腐蝕結(jié)束后觸碰圓環(huán)內(nèi)圈表面,內(nèi)圈即會(huì)與陶瓷斷開并掉下完成單面銅箔上開孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面覆銅陶瓷基板單面銅箔上開孔的方法,其特征在于:步驟五中,腐蝕結(jié)束后用手觸碰圓環(huán)內(nèi)圈表面,內(nèi)圈即會(huì)與陶瓷斷開并掉下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面覆銅陶瓷基板單面銅箔上開孔的方法,其特征在于:步驟三中,銅箔側(cè)腐蝕修正量具體如下:
銅箔厚度mm 側(cè)腐蝕修正量mm
0.10 0.02~0.08
0.20 0.04~0.12
0.25 0.07~0.16
0.30 0.10~0.23
0.40 0.16~0.28
0.50 0.23~0.35。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海申和熱磁電子有限公司,未經(jīng)上海申和熱磁電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711116101.5/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類





