[發明專利]干刻蝕裝置及干刻蝕方法

在審

• 申請號: 201711115335.8
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN107808838A
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發明（設計）人: 肖文歡
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強

技術領域

本發明涉及顯示面板的制程加工領域，特別是涉及一種干刻蝕裝置及干刻蝕方法。

背景技術

目前，在低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)以及有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)工藝中，金屬材質的柵極線(俗稱閘極電極)和源/漏極線(Source-Drain line，俗稱柵極電極或源漏電極)，其膜層結構通常為鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)等材料中的至少一種形成的單層或者多層結構。而為了到達高分辨率產品所規定的線寬損失要求，通常使用干法刻蝕工藝將光罩上的圖案轉移到金屬材質的膜層結構上，從而加工出上述金屬材質的柵極線與源/漏極線等信號線。

由于干法刻蝕工藝制程會產生大量的氟化鉬(MoFx)、氯化鉬(MoClx)、氯化鋁(AlClx)、氯化鈦(TiClx)等金屬鹽類的制程生成物，而現有的干法刻蝕機設備中，其測壓組件(例如用以監測制程腔內的壓強的真空計)缺乏針對該類制程生成物的防護措施，極容易受到所述制程生成物的影響而出現以下問題：發生零點漂移、維護周期短、檢修成本高等。

發明內容

本發明實施例提供一種新的干刻蝕裝置及方法，其能防止現有的干刻蝕裝置上的真空計等測壓組件受制程生成物的影響，從而避免出現零點漂移、維護周期短、檢修成本高等問題。

第一方面，本發明第一實施例提供了一種干刻蝕裝置，包括制程腔、至少一排氣組件以及至少一測壓組件，所述制程腔容置待加工組件，并對所述待加工組件進行干刻蝕制程作業，所述排氣組件連接至所述制程腔，用以排出干刻蝕制程中產生的制程生成物，所述測壓組件用以實時監測所述制程腔中的壓強，測壓組件的安裝位置，從排氣組件上轉移到制程腔上，減少制程生成物沉積對測壓組件的影響；所述干刻蝕裝置的制程腔內壁上還包括一套管，所述套管設置于所述測壓組件與所述制程腔的連接處，并與所述制程腔相連通，所述套管用以捕集制程腔流向測壓組件的制程生成物，防止干刻蝕制程中產生的所述制程生成物流入所述測壓組件內。

其中，所述套管通過噴砂或者鍍膜的方式形成粗糙不平的內壁，所述套管通過粗糙不平的內壁來捕集制程腔室流向測壓組件的制程生成物，最大限度降低所述制程生成物流入所述測壓組件。套管易于安裝和拆卸，并且可以和制程腔內部其他部件一起進行定期清理和維護。

其中，所述套管的內壁形成凹槽和/或凸起來增加所述套管的粗糙度，并通過所述內壁形成的凹槽和/或凸起來捕集所述制程生成物。

其中，所述制程腔的側壁上貫穿開設有測量孔，所述測壓組件通過所述測量孔與所述制程腔相連通，所述套管可拆卸的安裝在所述測量孔內。

其中，所述套管從所述制程腔的內壁一側安裝在所述測量孔內，并與所述制程腔內的其它部件固定連接。

其中，所述套管包括管體以及凸緣，所述管體卡持在所述測量孔內，所述凸緣沿著所述管體的徑向凸設在所述管體的一端，并抵持在所述測量孔邊緣的內壁上。

其中，所述測壓組件包括真空計以及氣閥，所述真空計通過管路連接至所述制程腔，所述氣閥設置在所述真空計與所述制程腔之間的管路上，用以控制所述真空計與所述制程腔之間的管路的導通與截止。

其中，所述制程腔具有排氣孔，所述排氣組件包括真空泵以及閥門，所述真空泵通過管路連接至所述排氣孔，所述閥門設置在所述排氣孔與所述真空泵之間的管路上，用以控制所述真空泵與所述排氣孔之間的管路的導通與截止。

其中，所述制程腔包括腔體、設置于所述腔體上方的上電極以及設置于所述腔體下方的下電極，所述上電極與所述下電極將通入所述腔體中的刻蝕氣體轉化成等離子體(電漿)，所述等離子體與所述待加工組件進行反應，完成干刻蝕制程。

另一方法，本發明還提供一種干刻蝕方法，其通過所述干刻蝕裝置對待加工組件進行干刻蝕，所述干刻蝕方法包括以下步驟：

密封所述干刻蝕裝置的腔體，且所述干刻蝕裝置的排氣組件將所述腔體排成真空狀態；

在所述腔體內通入刻蝕氣體，所述干刻蝕裝置的測壓組件檢測所述腔體內的制程條件是否達標；

當所述測壓組件測得的制程條件達標時，所述腔體中的上電極與下電極通電，使腔體內的刻蝕氣體形成等離子體狀態(電漿狀態)，電漿內的離子、活性原子團或分子自由基對待加工組件進行離子轟擊和化學反應，實現干刻蝕制程作業；

當干刻蝕制程完成后，所述排氣組件將干刻蝕制程產生的制程生成物從所述腔體內排出。