[發(fā)明專利]干刻蝕裝置及干刻蝕方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711115335.8
• 申請(qǐng)日: 2017-11-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107808838A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖文歡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強(qiáng)

1.一種干刻蝕裝置，包括制程腔、至少一排氣組件以及至少一測(cè)壓組件，所述制程腔容置待加工組件，并對(duì)所述待加工組件進(jìn)行干刻蝕制程作業(yè)，所述排氣組件連接至所述制程腔，用以排出干刻蝕制程中產(chǎn)生的制程生成物，所述測(cè)壓組件用以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)所述制程腔中的壓強(qiáng)，其特征在于，所述測(cè)壓組件安裝在所述制程腔上，所述干刻蝕裝置還包括一套管，所述套管設(shè)置于所述測(cè)壓組件與所述制程腔的連接處，并與所述制程腔相連通，所述套管用以捕集制程腔流向測(cè)壓組件的制程生成物，防止干刻蝕制程中產(chǎn)生的所述制程生成物流入所述測(cè)壓組件內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的干刻蝕裝置，其特征在于，所述套管通過(guò)噴砂或者鍍膜的方式形成粗糙不平的內(nèi)壁，所述套管通過(guò)粗糙不平的內(nèi)壁來(lái)捕集由所述制程腔室流向所述測(cè)壓組件的制程生成物。

3.如權(quán)利要求1所述的干刻蝕裝置，其特征在于，所述套管的內(nèi)壁形成凹槽和/或凸起來(lái)增加所述套管的粗糙度，并通過(guò)所述內(nèi)壁形成的凹槽和/或凸起來(lái)捕集所述制程生成物。

4.如權(quán)利要求1所述的干刻蝕裝置，其特征在于，所述制程腔的側(cè)壁上貫穿開(kāi)設(shè)有測(cè)量孔，所述測(cè)壓組件通過(guò)所述測(cè)量孔與所述制程腔相連通，所述套管可拆卸的安裝在所述測(cè)量孔內(nèi)。

5.如權(quán)利要求4所述的干刻蝕裝置，其特征在于，所述套管從所述制程腔的內(nèi)壁一側(cè)安裝在所述測(cè)量孔內(nèi)，并與所述制程腔內(nèi)的其它部件拼接。

6.如權(quán)利要求4所述的干刻蝕裝置，其特征在于，所述套管包括管體以及凸緣，所述管體卡持在所述測(cè)量孔內(nèi)，所述凸緣沿著所述管體的徑向凸設(shè)在所述管體的一端，并抵持在所述測(cè)量孔邊緣的內(nèi)壁上。

7.如權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的干刻蝕裝置，其特征在于，所述測(cè)壓組件包括真空計(jì)以及氣閥，所述真空計(jì)通過(guò)管路連接至所述制程腔，所述氣閥設(shè)置在所述真空計(jì)與所述制程腔之間的管路上，用以控制所述真空計(jì)與所述制程腔之間的管路的導(dǎo)通與截止。

8.如權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的干刻蝕裝置，其特征在于，所述制程腔具有排氣孔，所述排氣組件包括真空泵以及閥門，所述真空泵通過(guò)管路連接至所述排氣孔，所述閥門設(shè)置在所述排氣孔與所述真空泵之間的管路上，用以控制所述真空泵與所述排氣孔之間的管路的導(dǎo)通與截止。

9.如權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的干刻蝕裝置，其特征在于，所述制程腔包括腔體、設(shè)置于所述腔體上方的上電極以及設(shè)置于所述腔體下方的下電極，所述上電極與所述下電極將通入所述腔體中的刻蝕氣體轉(zhuǎn)化成等離子體，所述等離子體與所述待加工組件進(jìn)行反應(yīng)，完成干刻蝕制程。

10.一種干刻蝕方法，其通過(guò)如權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的干刻蝕裝置對(duì)待加工組件進(jìn)行干刻蝕，所述干刻蝕方法包括以下步驟：

密封所述干刻蝕裝置的腔體，且所述干刻蝕裝置的排氣組件將所述腔體排成真空狀態(tài)；

在所述腔體內(nèi)通入刻蝕氣體，所述干刻蝕裝置的測(cè)壓組件檢測(cè)所述腔體內(nèi)的制程條件是否達(dá)標(biāo)；

當(dāng)所述測(cè)壓組件測(cè)得的制程條件達(dá)標(biāo)時(shí)，所述腔體中的上電極與下電極通電，使腔體內(nèi)的刻蝕氣體形成電漿狀態(tài)，所述電漿狀態(tài)下的離子和/或活性原子團(tuán)和/或分子自由基對(duì)待加工組件進(jìn)行離子轟擊和化學(xué)反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)干刻蝕制程作業(yè)；

當(dāng)干刻蝕制程完成后，所述排氣組件將干刻蝕制程產(chǎn)生的制程生成物從所述腔體內(nèi)排出。