[發明專利]一種A3 有效
| 申請號： | 201711114797.8 | 申請日： | 2017-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN107652445B | 公開（公告）日： | 2020-06-30 |
| 發明（設計）人： | 董育斌;姜嫄;闞京蘭 | 申請（專利權）人： | 山東師范大學 |
| 主分類號： | C08G83/00 | 分類號： | C08G83/00;A61K41/00;A61P35/00 |
| 代理公司： | 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221 | 代理人： | 鄭平 |
| 地址： | 250014 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 base sub | ||
1.一種A3B型單巰基卟啉修飾的金屬有機框架納米材料的制備方法，其特征在于，包括：將UiO-66分散在單巰基卟啉溶液中，混合，固液分離、洗滌、活化、干燥，即得到固體產品UiO-66-H2TClPP-(SH)1；所述活化指的是將固體浸沒到二氯甲烷中,浸泡5-7小時；所述單巰基卟啉溶液為A3B型單巰基卟啉溶液；所述UiO-66-H2TClPP-(SH)1指的是通過后修飾合成法將H2TClPP-(SH)1修飾到UiO-66材料得到的金屬有機框架納米材料；所述H2TClPP-(SH)1的結構式為：
2.如權利要求1所述的一種A3B型單巰基卟啉修飾的金屬有機框架納米材料的制備方法，其特征在于，所述UiO-66與單巰基卟啉的質量比為15～17。
3.如權利要求1所述的一種A3B型單巰基卟啉修飾的金屬有機框架納米材料的制備方法，其特征在于，所述UiO-66的平均粒徑為200nm。
4.如權利要求1所述的一種A3B型單巰基卟啉修飾的金屬有機框架納米材料的制備方法，其特征在于，所述A3B型單巰基卟啉的制備方法為：
(a)將H2TClPP-(COOH)1與二氯亞砜在有機溶劑中反應，反應結束后，蒸干溶劑，加入四氫呋喃，得第一反應溶液；
(b)將1,2-二巰基乙烷和三乙胺溶于四氫呋喃，得第二反應溶液；
(c)將第二反應溶液滴加到第一反應溶液中，室溫下攪拌反應1.5～2h；
(d)步驟(c)反應所得溶液進行純化，得到H2TClPP-(SH)1；
所述H2TClPP-(COOH)1化學名稱是5-(4-羧基苯基)-10,15,20-三(4-氯苯基)卟啉。
5.如權利要求1所述的一種A3B型單巰基卟啉修飾的金屬有機框架納米材料的制備方法，其特征在于，所述分散在超聲條件下進行，時間為20～25min。
6.如權利要求1所述的一種A3B型單巰基卟啉修飾的金屬有機框架納米材料的制備方法，其特征在于，所述混合時間為24～32h。
7.如權利要求1所述的一種A3B型單巰基卟啉修飾的金屬有機框架納米材料的制備方法，其特征在于，所述活化是將固體浸沒到二氯甲烷中，浸泡5～7小時。
8.權利要求1-7任一項所述的方法制備的A3B型單巰基卟啉修飾的金屬有機框架納米材料。
9.A3B型單巰基卟啉通過權利要求1所述的后修飾合成的方法在提高UiO-66光敏特性、分散性和穩定性中的應用，其特征在于，所述A3B型單巰基卟啉的結構式為：
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山東師范大學，未經山東師范大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711114797.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法
