[發明專利]存儲器模塊、包括其的存儲系統及其錯誤校正方法

有效

• 申請號: 201711114093.0
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN108376554B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 樸鐘現;李圣恩;具滋現;鄭承奎
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G11C29/44
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 李琳;王建國

一種存儲系統的錯誤校正方法可以包括：從多個存儲器芯片中讀取讀取數據和錯誤校正碼；使用錯誤校正碼來校正讀取數據的錯誤；當錯誤的校正失敗時，將讀取數據和錯誤校正碼暫時儲存在緩沖器中；將特定輸入測試模式寫入多個存儲器芯片中，讀取寫入多個存儲器芯片中的輸出測試模式，并且檢測發生芯片修復的故障芯片；基于檢測到的故障芯片的位置，使用儲存在緩沖器中的錯誤校正碼來重新校正儲存在緩沖器中的讀取數據的錯誤；并且將錯誤已校正的讀取數據和錯誤校正碼重新寫入多個存儲器芯片中。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2017年1月31日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2017-0013769的韓國專利申請的優先權，其公開通過引用整體合并于此。

技術領域

本公開的示例性實施例涉及一種半導體設計技術，更具體地，涉及一種存儲器模塊、包括其的存儲系統及其錯誤校正方法。

背景技術

在半導體存儲器行業的早期，在已經通過半導體制造工藝的存儲器芯片中存在無缺陷存儲單元的大量原始好裸片已經被分布在每個晶片上。然而，隨著存儲器件的容量逐漸增加，制造具有無缺陷存儲單元的存儲器件已經變得越來越困難。目前，制造這種存儲器件的成功概率非常小。

為了克服有缺陷單元問題，已經使用了用冗余存儲單元來修復存儲器件的有缺陷存儲單元的技術。另一方面，用于校正存儲系統中的錯誤的錯誤校正(ECC)電路已經被用于校正在存儲單元中發生的錯誤，或者在存儲系統的讀取操作或寫入操作中的數據傳輸期間發生的錯誤。

發明內容

本發明的各種實施例涉及一種存儲器模塊、包括存儲器模塊的存儲系統及其能夠提高錯誤校正效率的操作方法。

在一個實施例中，存儲系統的錯誤校正方法可以包括：從多個存儲器芯片中讀取讀取數據和錯誤校正碼；使用錯誤校正碼來校正讀取數據的錯誤；當錯誤的校正失敗時，將讀取數據和錯誤校正碼暫時儲存在緩沖器中；將特定輸入測試模式寫入多個存儲器芯片中，讀取寫入多個存儲器芯片中的輸出測試模式，并且檢測發生芯片修復(chipkill)的故障芯片；基于檢測到的故障芯片的位置而使用儲存在緩沖器中的錯誤校正碼來重新校正儲存在緩沖器中的讀取數據的錯誤；并且將錯誤已校正的讀取數據和錯誤校正碼重新寫入多個存儲器芯片中。

在一個實施例中，存儲系統可以包括：多個存儲器芯片，它們適用于儲存數據和錯誤校正碼；錯誤校正電路，其適用于使用從多個存儲器芯片讀取的錯誤校正碼來校正從多個存儲器芯片讀取的數據的錯誤，并且當錯誤的校正失敗時，將讀取數據和錯誤校正碼暫時儲存在緩沖器中；以及故障芯片檢測電路，其適用于：當錯誤的校正失敗時，將特定輸入測試模式寫入多個存儲器芯片中，讀取寫入多個存儲器芯片中的輸出測試模式，并且檢測發生芯片修復的故障芯片，其中，錯誤校正電路基于檢測到的故障芯片的位置而使用儲存在緩沖器中的錯誤校正碼來重新校正儲存在緩沖器中的讀取數據的錯誤，并且將錯誤已校正的讀取數據和錯誤校正碼重新寫入多個存儲器芯片中。

在一個實施例中，存儲器模塊可以包括：多個存儲器芯片，它們適用于儲存數據和錯誤校正碼；錯誤校正電路，其適用于使用從多個存儲器芯片讀取的錯誤校正碼來校正從多個存儲器芯片讀取的數據的錯誤，并且當錯誤的校正失敗時，將讀取數據和錯誤校正碼暫時儲存在緩沖器中；以及故障芯片檢測電路，其適用于：當錯誤的校正失敗時，將特定輸入測試模式寫入多個存儲器芯片中，讀取寫入多個存儲器芯片中的輸出測試模式，并且檢測發生芯片修復的故障芯片，其中，錯誤校正電路基于檢測到的故障芯片的位置而使用儲存在緩沖器中的錯誤校正碼來重新校正儲存在緩沖器中的讀取數據的錯誤，并且將錯誤已校正的讀取數據和錯誤校正碼重新寫入多個存儲器芯片中。

附圖說明

圖1是示出了存儲系統的框圖。

圖2是示出了根據本公開的實施例的存儲系統的框圖。

圖3是示出了圖2所示的錯誤校正電路的框圖。