[發明專利]一種單片微波集成電路中靜電防護結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201711113846.6
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN107994015B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 魏鴻基;許燕麗;王江;朱慶芳
• 申請（專利權）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/82
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 張松亭;張迪

1.一種單片微波集成電路中靜電防護結構，其特征在于：在晶體管的基區-發射區、基區-集電區之間分別并聯設置有呈背對背結構設置的二極管組；每一個所述二極管組中包括兩個二極管，所述兩個二極管制備在生長晶體管的外延片上，利用外延片上已有的基區-發射區、基區-集電區，形成陽極相互連接或者陰極相互連接形成背對背結構。

2.根據權利要求1所述的一種單片微波集成電路中靜電防護結構，其特征在于：所述晶體管為HBT管。

3.一種單片微波集成電路中靜電防護結構，其特征在于：包括至少一個制備在外延片上的晶體管，在外延片上制備有獨立于所述晶體管的兩個二極管；兩個二極管共用一個阻擋層，并且兩個二極管分別具有依次層疊設置在阻擋層上的收集層、基極層和發射層；兩個二極管彼此的收集層、基極層和發射層相互獨立設置，形成陰極相互連接的背對背二極管組；

其中一個二極管的陽極連接至晶體管的基區，另一個二極管的陽極連接至晶體管的集電區；或者，其中一個二極管的陽極連接至晶體管的基區，另一個二極管的陽極連接至晶體管的發射區。

4.一種單片微波集成電路中靜電防護結構，其特征在于：包括至少一個制備在外延片上的晶體管，在外延片上制備有獨立于所述晶體管的兩個二極管；兩個二極管共用阻擋層、收集層和基極層，并且兩個二極管分別具有層疊設置在基極層上的發射層；兩個二極管彼此的發射層相互獨立設置，形成陽極相互連接的背對背二極管組；

其中一個二極管的陰極連接至晶體管的基區，另一個二極管的陰極連接至晶體管的集電區；或者，其中一個二極管的陰極連接至晶體管的基區，另一個二極管的陰極連接至晶體管的發射區。

5.根據權利要求3或4所述的一種單片微波集成電路中靜電防護結構，其特征在于：所述晶體管為HBT管。

6.一種單片微波集成電路中靜電防護結構的制造方法，其特征在于包括如下步驟：

1)在外延片上通過化學腐蝕過程或者干法刻蝕制備出至少一個晶體管，所述外延片在晶體管以外的區域還具有阻擋層、收集層、基極層和發射層；

2)通過化學腐蝕過程或者干法刻蝕在所述阻擋層、收集層、基極層和發射層中制備兩個二極管，兩個二極管共用阻擋層、收集層和基極層，并且兩個二極管分別具有層疊設置在基極層上的發射層；兩個二極管彼此的發射層相互獨立設置，形成陽極相互連接的背對背二極管組；

3)通過金屬連線，將其中一個二極管的陰極連接至晶體管的基區，另一個二極管的陰極連接至晶體管的集電區；或者，其中一個二極管的陰極連接至晶體管的基區，另一個二極管的陰極連接至晶體管的發射區。

7.一種單片微波集成電路中靜電防護結構的制造方法，其特征在于包括如下步驟：

1)在外延片上通過化學腐蝕過程或者干法刻蝕制備出至少一個晶體管，所述外延片在晶體管以外的區域還具有阻擋層、收集層、基極層和發射層；

2)通過化學腐蝕過程或者干法刻蝕在所述阻擋層、收集層、基極層和發射層中制備兩個二極管，兩個二極管共用一個阻擋層；兩個二極管彼此的收集層、基極層和發射層相互獨立且層疊設置在阻擋層上，形成陰極相互連接的背對背二極管組；

3)通過金屬連線，將其中一個二極管的陽極連接至晶體管的基區，另一個二極管的陽極連接至晶體管的集電區；或者，其中一個二極管的陽極連接至晶體管的基區，另一個二極管的陽極連接至晶體管的發射區。