[發明專利]一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法在審
| 申請號： | 201711105919.7 | 申請日： | 2017-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN107910252A | 公開（公告）日： | 2018-04-13 |
| 發明（設計）人： | 孫賽;俞敏;曹亞民 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;H01L21/265;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 部分 刻蝕 改善 白色 像素 方法 | ||
1.一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，其特征在于，包括：
步驟一、對晶圓的上表面涂布光刻膠；
步驟二、對所述光刻膠圖形化，露出第一工藝窗和第二工藝窗；
步驟三、通過所述第一工藝窗和所述第二工藝窗將第二側墻去除；
步驟四、對所述第二側墻去除后露出的部分進行離子注入；
步驟五、對所述光刻膠進行去膠。
2.根據權利要求1所述一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，其特征在于，所述第一工藝窗和所述第二工藝窗分別位于柵極的兩側，并且所述第一工藝窗和所述第二工藝窗位于源極和漏極的上方。
3.根據權利要求1所述一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，其特征在于，所述第一工藝窗和所述第二工藝窗貫穿至所述第二側墻的上方。
4.根據權利要求1所述一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，其特征在于，所述步驟二的去除第二側墻的工藝為等離子體刻蝕，所述等離子體為PP等離子體或NP等離子體。
5.根據權利要求4所述一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，其特征在于，當所述步驟二的等離子體刻蝕采用PP等離子體時，所述步驟四進行PP離子注入；當所述步驟二的等離子體刻蝕采用NP離子體時，所述步驟四進行NP離子注入。
6.根據權利要求1所述一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，其特征在于，所述晶圓為超薄堆棧式圖像傳感器。
7.根據權利要求1所述一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，其特征在于，所述晶圓的制程為55nm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
