[發明專利]一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法

在審

• 申請號: 201711105919.7
• 申請日: 2017-11-10
• 公開（公告）號: CN107910252A
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 孫賽;俞敏;曹亞民
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/265;H01L21/3065
• 代理公司: 上海申新律師事務所31272
• 代理人: 俞滌炯

技術領域

本發明涉及集成電路制造技術的技術領域，尤其涉及側墻刻蝕的技術領域。

背景技術

現有的堆棧式感光元件完全把電路層放到了像素層的下方，這樣的進光量會更加大，而且堆棧式在R(紅)G(綠)B(藍)的三原色像素點中加入了W(白)像素，這樣使得在暗的環境中拍攝到亮度更高的照片。

而在目前55納米UTS(Ultra Thin Stack)圖像傳感器既超薄堆棧式圖像傳感器的制作工藝中，刻蝕步驟對器件的性能影響很大。刻蝕過程造成的損傷會導致缺陷，從而容易產生漏電流，最終形成white pixel(白色像素是屏幕上出現故障的彩色像素)，影響使用。

發明內容

針對上述不足，本發明的目的是提供一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，減少不必要的刻蝕區域，降低刻蝕損傷，改善白色像素。

為了達到上述目的，本發明采用以下技術方案：

一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，其中，包括：

步驟一、對晶圓的上表面涂布光刻膠；

步驟二、對所述光刻膠圖形化，露出第一工藝窗和第二工藝窗；

步驟三、通過所述第一工藝窗和所述第二工藝窗將第二側墻去除；

步驟四、對所述第二側墻去除后露出的部分進行離子注入；

步驟五、對所述光刻膠進行去膠。

上述一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，其中，所述第一工藝窗和所述第二工藝窗分別位于柵極的兩側，并且所述第一工藝窗和所述第二工藝窗位于源極和漏極的上方。

上述一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，其中，所述第一工藝窗和所述第二工藝窗貫穿至所述第二側墻的上方。

上述一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，其中，所述步驟二的去除第二側墻的工藝為等離子體刻蝕，所述等離子體為PP等離子體或NP等離子體。

上述一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，其中，當所述步驟二的等離子體刻蝕采用PP等離子體時，所述步驟四進行PP離子注入；當所述步驟二的等離子體刻蝕采用NP離子體時，所述步驟四進行NP離子注入。

上述一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，其中，所述晶圓為超薄堆棧式圖像傳感器。

上述一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，其中，所述晶圓的制程為55nm。

用以上技術方案，能夠達到如下有益效果：

1、本發明僅對光刻膠打開的第一工藝窗和第二工藝窗進行第二側墻的刻蝕減少不必要的刻蝕區域，降低刻蝕損傷，改善白色像素。

附圖說明

圖1是本發明的一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法的步驟三的示意圖；

圖2是本發明的一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法的步驟四的示意圖；

圖3是本發明的一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法的流程圖。

附圖中：1、晶圓；2、光刻膠；21、第一工藝窗；22、第二工藝窗；3、第二側墻；41、柵極；42、源極；43、漏極。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步說明，但不作為本發明的限定。

圖1是本發明的一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法的步驟三的示意圖；圖2是本發明的一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法的步驟四的示意圖；圖3是本發明的一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法的流程圖。

現有技術的對第二側墻3的刻蝕是針對整片晶圓，但是由于這其中除了源極42和漏極43外，其余區域沒有必要刻蝕，因此需要予以減少。

請參見圖1至圖3所示，在一種較佳的實施例中，一種部分側墻刻蝕改善白色像素的方法，其中，包括：

步驟一、對晶圓1的上表面涂布光刻膠。

步驟二、對光刻膠2圖形化，露出第一工藝窗21和第二工藝窗22。

步驟三、通過第一工藝窗21和第二工藝窗22將第二側墻3去除。

步驟四、對第二側墻3去除后露出的部分進行離子注入。

步驟五、對光刻膠2進行去膠。

以上僅為本發明較佳的實施例，并非因此限制本發明的實施方式及保護范圍。

進一步，在一種較佳實施例中，第一工藝窗21和第二工藝窗22分別位于柵極41的兩側，并且第一工藝窗21和第二工藝窗22位于源極42和漏極43的上方；通過離子注入使源極42和漏極43形成N型高濃摻雜區或P型高濃摻雜區。

進一步，在一種較佳實施例中，第一工藝窗21和第二工藝窗22貫穿至第二側墻3的上方。