[發(fā)明專(zhuān)利]用于磷化銦晶片的下盤(pán)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711104612.5
• 申請(qǐng)日: 2017-11-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107910246A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙有文;王俊;董志遠(yuǎn);劉京明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京鼎泰芯源科技發(fā)展有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02;H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11327
• 代理人: 張超艷,李琳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片加工技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種用于磷化銦晶片的下盤(pán)方法。

背景技術(shù)

磷化銦(InP)晶體是重要的化合物半導(dǎo)體材料，與砷化鎵(GaAs)相比，其優(yōu)越性主要在于高的飽和電子漂移速度、導(dǎo)熱性好以及較強(qiáng)的抗輻射能力等，因此磷化銦晶片通常用于制造高頻、高速和大功率微波器件和電路。InP作為襯底材料已在多個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，如長(zhǎng)波長(zhǎng)(1.3～1.55μm)發(fā)光二極管、激光器和探測(cè)器、毫米波異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)、高電子遷移率晶體管(HEMT)和單片電路等。這些器件將是下一代寬帶網(wǎng)絡(luò)、區(qū)域電子對(duì)抗、預(yù)警系統(tǒng)、高性能雷達(dá)、衛(wèi)星系統(tǒng)和精確制導(dǎo)武器等的關(guān)鍵部件。

在InP晶片加工過(guò)程中，晶片的精細(xì)拋光采用有蠟拋，即將用蠟將晶片粘在陶瓷盤(pán)上進(jìn)行拋光，以保證晶片平整度和良率。用到的蠟分為低溫蠟(50℃)或高溫蠟(熔點(diǎn)70℃)，在拋光完成后通過(guò)加熱陶瓷盤(pán)到蠟熔化后將晶片取下的過(guò)程稱(chēng)之為下盤(pán)。拋光完成后晶片為納米級(jí)表面，采用上述“干法”下盤(pán)方法，在加熱下盤(pán)過(guò)程中晶片加熱，晶片表面極易吸附粒子并且加速晶片表面氧化，對(duì)后續(xù)清洗質(zhì)量有很大影響。另外，蠟會(huì)在陶瓷盤(pán)表面積累，并且很難完全去除，會(huì)對(duì)陶瓷盤(pán)表面均勻性產(chǎn)生影響，進(jìn)而對(duì)晶片平整度產(chǎn)生影響，甚至?xí)霈F(xiàn)掉片現(xiàn)象，影響生產(chǎn)安全。因此進(jìn)行工藝改進(jìn)，降低下盤(pán)過(guò)程中產(chǎn)生的不利影響十分必要。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種工藝穩(wěn)定性重復(fù)性好、工作效率高和產(chǎn)品良率高的用于磷化銦晶片的下盤(pán)方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種用于磷化銦晶片的下盤(pán)方法，用于取下拋光后固定在陶瓷盤(pán)上的磷化銦晶片，包括：在加熱槽中倒入除蠟劑，加熱至蠟熔點(diǎn)溫度，保持溫度恒定；將拋光后固定在一起的磷化銦晶片和陶瓷盤(pán)放入上述已經(jīng)經(jīng)過(guò)加熱的除蠟劑中，恒溫加熱第一設(shè)定時(shí)間；將磷化銦晶片從除蠟劑中取出，放置于盛有有機(jī)溶劑或除蠟劑的容器，待進(jìn)一步對(duì)晶片進(jìn)行化學(xué)清洗。

所述的下盤(pán)方法，其中，還包括：磷化銦晶片取出后，繼續(xù)恒溫加熱除蠟劑第二設(shè)定時(shí)間，以對(duì)陶瓷盤(pán)進(jìn)行進(jìn)一步去蠟清。

所述的下盤(pán)方法，其中，所述除蠟劑為水基中性除蠟劑，pH值在7.0～8.5。

所述的下盤(pán)方法，其中，所述除蠟劑的用量沒(méi)過(guò)所述固定在一起的磷化銦晶片和陶瓷盤(pán)。

所述的下盤(pán)方法，其中，所述磷化銦晶片的下盤(pán)過(guò)程在百級(jí)以上潔凈室內(nèi)進(jìn)行。

所述的下盤(pán)方法，其中，所述加熱槽具有恒溫加熱功能，恒溫加熱溫度波動(dòng)≤±3℃。

本發(fā)明所述用于磷化銦晶片的下盤(pán)方法采用將拋光后的晶片和陶瓷盤(pán)浸入除蠟劑加熱至熔點(diǎn)，使除蠟劑溶解更加充分，下盤(pán)同時(shí)起到對(duì)晶片和陶瓷盤(pán)去蠟清洗的作用，簡(jiǎn)化了后續(xù)對(duì)晶片和陶瓷盤(pán)的去蠟步驟，從而提高了效率。另外將晶片浸在除蠟劑中加熱可避免將晶片暴露在空氣產(chǎn)生沾污和表面氧化，提高了良品率。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參考以下具體實(shí)施方式結(jié)合附圖，本發(fā)明的其它目的及結(jié)果將更加明白且易于理解。在附圖中：

圖1是本發(fā)明所述用于磷化銦晶片的下盤(pán)方法示意圖。

具體實(shí)施方式

在下面的描述中，出于說(shuō)明的目的，為了提供對(duì)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的全面理解，闡述了許多具體細(xì)節(jié)。然而，很明顯，也可以在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)現(xiàn)這些實(shí)施例。在其它例子中，為了便于描述一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，公知的結(jié)構(gòu)和設(shè)備以方框圖的形式示出。

下面將參照附圖來(lái)對(duì)根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖1是本發(fā)明所述用于磷化銦晶片的下盤(pán)方法示意圖，如圖1所示，所述下盤(pán)方法用于取下拋光后固定在陶瓷盤(pán)5上的磷化銦晶片4，包括：

在加熱槽3中倒入除蠟劑1，加熱至用于拋光的蠟的熔點(diǎn)溫度，保持溫度恒定，例如，將除蠟劑1倒入加熱槽3中，加熱至60-80℃恒定；

將拋光后固定在一起的磷化銦晶片4和陶瓷盤(pán)5放入上述已經(jīng)經(jīng)過(guò)加熱的除蠟劑1中，恒溫加熱第一設(shè)定時(shí)間，例如，恒溫加熱5-10min；

將磷化銦晶片4從除蠟劑1中取出，放置于盛有有機(jī)溶劑(例如，無(wú)水乙醇)或除蠟劑1的容器，待進(jìn)一步進(jìn)行化學(xué)清洗，例如，采用真空吸筆將晶片4逐片從除蠟劑1中取出。