[發(fā)明專利]用于磷化銦晶片的下盤方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711104612.5
• 申請(qǐng)日: 2017-11-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107910246A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙有文;王俊;董志遠(yuǎn);劉京明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京鼎泰芯源科技發(fā)展有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11327
• 代理人: 張超艷,李琳

1.一種用于磷化銦晶片的下盤方法，用于取下拋光后固定在陶瓷盤上的磷化銦晶片，其特征在于，包括：

在加熱槽中倒入除蠟劑，加熱至蠟熔點(diǎn)溫度，保持溫度恒定；

將拋光后固定在一起的磷化銦晶片和陶瓷盤放入上述已經(jīng)經(jīng)過(guò)加熱的除蠟劑中，恒溫加熱第一設(shè)定時(shí)間；

將磷化銦晶片從除蠟劑中取出，放置于盛有有機(jī)溶劑或除蠟劑的容器，待進(jìn)一步對(duì)晶片進(jìn)行化學(xué)清洗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下盤方法，其特征在于，還包括：磷化銦晶片取出后，繼續(xù)恒溫加熱除蠟劑第二設(shè)定時(shí)間，以對(duì)陶瓷盤進(jìn)行進(jìn)一步去蠟清。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下盤方法，其特征在于，所述除蠟劑為水基中性除蠟劑，pH值在7.0～8.5。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下盤方法，其特征在于，所述除蠟劑的用量沒(méi)過(guò)所述固定在一起的磷化銦晶片和陶瓷盤。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下盤方法，其特征在于，所述磷化銦晶片的下盤過(guò)程在百級(jí)以上潔凈室內(nèi)進(jìn)行。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下盤方法，其特征在于，所述加熱槽具有恒溫加熱功能，恒溫加熱溫度波動(dòng)≤±3℃。