[發明專利]氣體注入裝置及包括其的基板處理裝置

在審

• 申請號: 201711104240.6
• 申請日: 2017-11-10
• 公開（公告）號: CN108070845A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 李鐘喆;申宰哲;鄭珉和;鄭淑真;崔釿奎;李晶桓
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/458
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

本發明提供了朝基板注入工藝氣體的氣體注入裝置以及包括該氣體注入裝置的基板處理裝置。該氣體注入裝置包括：基部；在基部上的第一氣體注入部，第一氣體注入部用于注入包括反應抑制官能團的第一氣體；在基部上在一個方向上與第一氣體注入部間隔開的第二氣體注入部，第二氣體注入部用于注入包括特定材料的前驅體的第二氣體；以及在基部上在所述一個方向上與第二氣體注入部間隔開的第三氣體注入部，第三氣體注入部用于注入與特定材料的前驅體反應的第三氣體。

技術領域

實施方式涉及氣體注入裝置及包括該氣體注入裝置的基板處理裝置。

背景技術

通常，可以執行多個工藝(例如沉積工藝、光刻工藝、清潔工藝等)來制造半導體器件。這些工藝中的沉積工藝可以是在基板上形成材料層的工藝。化學氣相沉積(CVD)工藝或原子層沉積(ALD)工藝可以被用作沉積工藝。

發明內容

實施方式提供了能夠防止特定材料的前驅體被過度吸附在局部區域上的氣體注入裝置以及包括該氣體注入裝置的基板處理裝置。

在一方面，一種朝基板注入工藝氣體的氣體注入裝置可以包括：基部；第一氣體注入部，其設置在基部上并注入包括反應抑制官能團的第一氣體；第二氣體注入部，其在基部上在一個方向上與第一氣體注入部間隔開，并注入包括特定材料的前驅體的第二氣體；以及第三氣體注入部，其在基部上在所述一個方向上與第二氣體注入部間隔開，并注入與特定材料的前驅體反應的第三氣體。

在一方面，一種氣體注入裝置可以包括具有圓形形狀的基部、以及設置在基部上并在基部的圓周方向上布置的多個氣體注入部。所述多個氣體注入部可以朝基板注入工藝氣體。氣體注入部可以包括：源氣體注入部，其注入包括特定材料的前驅體的源氣體；反應性氣體注入部，其面對源氣體注入部并注入與特定材料的前驅體反應的反應性氣體；化學氣體注入部，其在源氣體注入部的一側與反應性氣體注入部的一側之間，與源氣體注入部和反應性氣體注入部間隔開。化學氣體注入部可以注入包括反應抑制官能團的化學氣體。

在一方面，一種基板處理裝置可以包括：反應腔室；基座，其在反應腔室中被旋轉地驅動并支撐至少一個基板；以及噴淋頭，其在反應腔室中設置在基座之上。噴淋頭可以包括布置在基座的旋轉方向上并朝基板注入工藝氣體的多個氣體注入部。所述多個氣體注入部可以包括：第一氣體注入部，其注入包括反應抑制官能團的第一氣體；第二氣體注入部，其在旋轉方向上與第一氣體注入部間隔開并注入包括特定材料的前驅體的第二氣體；以及第三氣體注入部，其在旋轉方向上與第二氣體注入部間隔開并注入與特定材料的前驅體反應的第三氣體。

在一方面，一種基板處理裝置可以包括：反應腔室；基座，其設置在反應腔室中并支撐至少一個基板；以及噴淋頭，其在反應腔室中設置在基座之上。噴淋頭可以依次地朝基板注入包括反應抑制官能團的第一氣體、包括特定材料的前驅體的第二氣體、以及與特定材料的前驅體反應的第三氣體。

在一方面，一種氣體注入裝置可以包括：基部；在基部上的第一氣體注入部，第一氣體注入部用于注入包括反應抑制官能團的第一氣體；在基部上的第二氣體注入部，第二氣體注入部僅在第一氣體注入部之后可操作，用于注入包括特定材料的前驅體的第二氣體；以及第三氣體注入部，其在基部上在一個方向上與第二氣體注入部間隔開，第三氣體注入部用于注入與特定材料的前驅體反應的第三氣體。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例性實施方式，對本領域普通技術人員，特征將變得明顯，附圖中：

圖1示出根據一些實施方式的基板處理裝置的俯視圖。

圖2示出圖1的基板處理裝置的示意剖視圖。

圖3示出圖1和2的氣體注入裝置的俯視圖。

圖4示出圖1和2的氣體注入裝置的仰視圖。

圖5示出沿圖1的線I-I'截取的剖視圖。