[發明專利]氣體注入裝置及包括其的基板處理裝置在審
| 申請號: | 201711104240.6 | 申請日: | 2017-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN108070845A | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發明(設計)人: | 李鐘喆;申宰哲;鄭珉和;鄭淑真;崔釿奎;李晶桓 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體注入部 氣體注入裝置 基部 基板處理裝置 前驅體 反應抑制 工藝氣體 基板 | ||
1.一種朝基板注入工藝氣體的氣體注入裝置,所述氣體注入裝置包括:
基部;
在所述基部上的第一氣體注入部,所述第一氣體注入部用于注入包括反應抑制官能團的第一氣體;
在所述基部上在一個方向上與所述第一氣體注入部間隔開的第二氣體注入部,所述第二氣體注入部用于注入包括特定材料的前驅體的第二氣體;以及
在所述基部上在所述一個方向與所述第二氣體注入部間隔開的第三氣體注入部,所述第三氣體注入部用于注入與所述特定材料的所述前驅體反應的第三氣體。
2.根據權利要求1所述的氣體注入裝置,還包括在所述基部上的用于注入吹掃氣體的多個吹掃氣體注入部,所述吹掃氣體注入部包括:
在所述第一氣體注入部與所述第二氣體注入部之間的第一吹掃氣體注入部,
在所述第二氣體注入部與所述第三氣體注入部之間的第二吹掃氣體注入部,以及
在所述一個方向上在所述第三氣體注入部前方的第三吹掃氣體注入部。
3.根據權利要求2所述的氣體注入裝置,其中所述一個方向是順時針方向或逆時針方向。
4.根據權利要求3所述的氣體注入裝置,其中所述第三吹掃氣體注入部在所述第一氣體注入部與所述第三氣體注入部之間。
5.根據權利要求2所述的氣體注入裝置,其中所述吹掃氣體是非反應性氣體。
6.根據權利要求1所述的氣體注入裝置,其中所述第一氣體注入部面對所述第二氣體注入部。
7.根據權利要求1所述的氣體注入裝置,其中所述第一氣體注入部至所述第三氣體注入部的每個在徑向方向上從所述基部的中心延伸。
8.根據權利要求1所述的氣體注入裝置,其中:
所述基部包括在與所述第一氣體注入部交疊的區域中的多個第一入口以及在與所述第二氣體注入部交疊的區域中的多個第二入口,
所述第一入口在第一徑向方向上從所述基部的中心布置,以及
所述第二入口在第二徑向方向上從所述基部的所述中心布置,所述第二徑向方向不同于所述第一徑向方向。
9.根據權利要求8所述的氣體注入裝置,其中所述第二入口當中與所述基部的所述中心相鄰的第二入口比所述第一個入口當中與所述基部的所述中心相鄰的第一入口更靠近所述基部的所述中心。
10.根據權利要求1所述的氣體注入裝置,其中:
所述特定材料是金屬或半導體材料,以及
所述反應抑制官能團包括具有1至4的碳數的烷氧基、具有6至10的碳數的芳氧基、具有1至5的碳數的酯基和具有7至10的碳數的芳酯基中的至少一種。
11.根據權利要求1所述的氣體注入裝置,其中所述第三氣體包括與所述特定材料的所述前驅體反應的氧化劑。
12.一種氣體注入裝置,包括:
具有圓形形狀的基部;以及
在所述基部上朝基板注入工藝氣體的多個氣體注入部,所述多個氣體注入部在所述基部的圓周方向上布置,
其中,所述氣體注入部包括:
用于注入包括特定材料的前驅體的源氣體的源氣體注入部,
面對所述源氣體注入部的反應性氣體注入部,所述反應性氣體注入部用于注入與所述特定材料的所述前驅體反應的反應性氣體,以及
與所述源氣體注入部和所述反應性氣體注入部間隔開的化學氣體注入部,所述化學氣體注入部在所述源氣體注入部的第一側與所述反應性氣體注入部的第一側之間,用于注入包括反應抑制官能團的化學氣體。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





