[發(fā)明專利]一種無雙極晶體管的電壓基準(zhǔn)源電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711102935.0
• 申請(qǐng)日: 2017-11-10
• 公開（公告）號(hào): CN107783586B
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王志敏;于昕梅;段志奎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山科學(xué)技術(shù)學(xué)院
• 主分類號(hào): G05F1/575
• 分類號(hào): G05F1/575
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 王國標(biāo)

1.一種無雙極晶體管的電壓基準(zhǔn)源電路，其特征在于，包括：電壓產(chǎn)生電路、電流產(chǎn)生電路、PSRR電路，所述電流產(chǎn)生電路用于為電壓產(chǎn)生電路提供電流，所述PSRR電路用于為所述電壓產(chǎn)生電路和所述電流產(chǎn)生電路提供供電電壓；

所述電壓產(chǎn)生電路由：PMOS管PM3、PM4、NMOS管NM1、NM2、NM3組成，所述PM3的漏極、柵極并接，所述NM3的漏極、柵極并接，所述NM2的漏極、柵極并接，所述PM3的漏極與所述NM3的漏極連接，所述PM3的柵極與所述PM4的柵極連接，所述PM3的源極與所述PM4的源極連接，所述NM2的漏極與所述PM4的漏極連接，所述NM2的柵極與所述NM1的柵極連接，所述NM2的源極與所述NM1的漏極連接，所述NM3的源極分別與所述NM1的漏極、所述NM2的源極連接，所述PM3、PM4的襯底與電源VDD連接，所述NM1、NM2、NM3的襯底與地GND連接；

所述電流產(chǎn)生電路由：PMOS管PM1、PM2、NMOS管NM4、NM5、電阻R1和運(yùn)算放大器AMP組成，所述PM1的柵極與所述PM2的柵極連接，所述PM1的漏極分別與所述運(yùn)算放大器AMP的反相輸入端、電阻R1的一端連接，所述電阻R1的另一端與所述NM4的漏極連接，所述PM2的源極與所述PM1的源極連接，所述PM2的漏極分別與所述運(yùn)算放大器AMP的同相輸入端、所述NM5的漏極連接，所述NM4的源極、柵極、NM5的源極、柵極分別與地GND連接，所述PM1、PM2的襯底分別與電源VDD連接，所述NM4、NM5的襯底分別與各自的漏極連接；

所述PSRR電路由：PMOS管PM5、PM6、PM7、PM8和偏置電流源Ib組成，所述PM5的柵極與所述PM6的柵極連接，所述PM5的漏極分別與所述PM1、PM2、PM3、PM4、PM8的源極連接，所述PM7的源極與所述PM6的漏極連接，所述PM7的漏極分別與所述PM5、PM6的柵極、所述電流源Ib的輸入端連接，所述PM7的柵極分別與所述PM1、PM2、PM3、PM4的柵極連接，所述電流源Ib的輸出端、所述PM8的漏極分別與地GND連接，所述PM5、PM6的源極、PM5、PM6、PM7、PM8的襯底分別與所述電源VDD連接；

所述PM8的柵極與運(yùn)算放大器AMP的輸出端連接。