[發(fā)明專利]具奈米金屬陣列的可撓式觸控感測(cè)器及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711101630.8
• 申請(qǐng)日: 2017-11-10
• 公開（公告）號(hào): CN107704140A
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡緣蓁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 業(yè)成科技（成都）有限公司;業(yè)成光電（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G06F3/041
• 分類號(hào): G06F3/041
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所44287
• 代理人: 胡海國

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于觸控感測(cè)器領(lǐng)域，特別是指一種于氧化銦錫薄膜(ITO)表面上制作奈米等級(jí)點(diǎn)陣均勻分布的金屬陣列，改善耐彎性質(zhì)的可撓式觸控感測(cè)器。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)品向輕型化、小型化、集成化方向的不斷發(fā)展，可彎曲甚至可穿戴的柔性電子元器件正在日益成為科學(xué)研究和制造技術(shù)研發(fā)的熱點(diǎn)。柔性透明導(dǎo)電膜由于具有重量輕、柔性好、抗沖擊、成本低、可進(jìn)行各種形狀或表面設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)，便于應(yīng)用與輕便，可移動(dòng)的戶外設(shè)備中，具有更強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，被廣泛用于柔性顯示屏、觸摸屏、電致變色薄膜、薄膜太陽能電池等產(chǎn)品中。

在顯示屏幕中，透明氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電膜因其優(yōu)異的光電特性發(fā)揮著重要的作用，即便銦為稀有元素，地球含量低(0.05ppm)，使透明氧化銦錫的制造成本較高，但透明氧化銦錫仍是目前業(yè)界做為觸控感測(cè)器電極材料的主流產(chǎn)品。

然而，由于透明氧化銦錫屬于陶瓷材料，易破碎不耐彎折，其膜層的表面電阻將隨著彎折次數(shù)而明顯的提升，根據(jù)實(shí)驗(yàn)室的彎曲實(shí)驗(yàn)，透明氧化銦錫在彎曲直徑小于5毫米(mm)時(shí)，在彎折處就會(huì)出現(xiàn)龜裂導(dǎo)致電性異?，F(xiàn)象，因此限制了產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與制程良率風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于改善一般氧化銦錫薄膜彎曲直徑小于5毫米(mm)時(shí)，在彎折處就會(huì)出現(xiàn)龜裂導(dǎo)致電性異?，F(xiàn)象。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明系采取以下之技術(shù)手段予以達(dá)成，其中，本發(fā)明提供一種具奈米金屬陣列的可撓式觸控感測(cè)器制作方法，包括下列步驟：a提供一氧化銦錫薄膜以及一奈米球溶液，該奈米球溶液包括一液體以及奈米等級(jí)的復(fù)數(shù)個(gè)球體分子。b將該奈米球溶液涂布于該氧化銦錫薄膜的一表面上。c使該等球體分子自組裝排列并附著于該表面形成一遮罩層。d利用該遮罩層的孔隙于該表面形成一金屬陣列。e移除該遮罩層。f于該氧化銦錫薄膜上制作導(dǎo)電線路。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，其中該步驟b更包括：控制該液體的高度低于該球體分子的直徑。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，其中該遮罩層僅由一層該等球體分子緊密排列組成。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，其中該步驟d更包括：該金屬陣列是利用濺鍍或電鍍方式形成于該表面。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，其中步驟d更包括：該金屬陣列由點(diǎn)陣均勻分布的復(fù)數(shù)個(gè)三角錐金屬點(diǎn)所構(gòu)成。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，其中該步驟e更包括：利用一溶劑針對(duì)該表面進(jìn)行清洗以移除該遮罩層。

本發(fā)明還提供一種利用上述方法制作的可撓式觸控感測(cè)器，包括：一氧化銦錫薄膜以及一金屬陣列，該氧化銦錫薄膜設(shè)置有觸控電極走線。該金屬陣列形成于該氧化銦錫薄膜一表面，該金屬陣列包括點(diǎn)陣均勻分布于該表面上的復(fù)數(shù)個(gè)三角錐狀金屬點(diǎn)。其中，該三角錐狀金屬點(diǎn)的底面直徑小于400奈米。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，該金屬陣列是透過濺鍍或電鍍金屬方式形成于該氧化銦錫薄膜的表面。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，該金屬陣列為金、銀或銅材質(zhì)金屬。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，該三角錐狀金屬點(diǎn)之間的間距大于760奈米，且三角錐狀金屬點(diǎn)的高度介于60奈米至70奈米之間。

附圖說明

圖1為本發(fā)明具奈米金屬陣列的可撓式觸控感測(cè)器及其制作方法之方法流程圖；

圖2為本發(fā)明具奈米金屬陣列的可撓式觸控感測(cè)器及其制作方法之球體分子自組裝排列示意圖；

圖3為本發(fā)明具奈米金屬陣列的可撓式觸控感測(cè)器及其制作方法之遮罩層示意圖；

圖4為本發(fā)明具奈米金屬陣列的可撓式觸控感測(cè)器及其制作方法之金屬陣列形成示意圖；

圖5A及5B為本發(fā)明具奈米金屬陣列的可撓式觸控感測(cè)器及其制作方法之可撓式觸控感測(cè)器示意圖及俯視圖；

圖6為本發(fā)明具奈米金屬陣列的可撓式觸控感測(cè)器及其制作方法之可撓式觸控感測(cè)器彎折示意圖。

附圖標(biāo)號(hào)說明：

氧化銦錫薄膜 1

表面 11

奈米球溶液 2

液體 21

球體分子 22

遮罩層 3

金屬陣列 4

三角錐狀金屬點(diǎn) 41

基板 5

導(dǎo)電線路 6

保護(hù)蓋板 7

直徑 R

步驟 100～150

具體實(shí)施方式

為達(dá)成上述目的及功效，本發(fā)明所采用之技術(shù)手段及構(gòu)造，茲繪圖就本發(fā)明較佳實(shí)施例詳加說明其特征與功能如下，俾利完全了解，但須注意的是，該等內(nèi)容不構(gòu)成本發(fā)明的限定。