[發(fā)明專利]具奈米金屬陣列的可撓式觸控感測器及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711101630.8 | 申請日: | 2017-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN107704140A | 公開(公告)日: | 2018-02-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡緣蓁 | 申請(專利權(quán))人: | 業(yè)成科技(成都)有限公司;業(yè)成光電(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041 |
| 代理公司: | 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所44287 | 代理人: | 胡海國 |
| 地址: | 610000 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具奈米 金屬 陣列 可撓式觸控感測器 及其 制作方法 | ||
1.一種具奈米金屬陣列的可撓式觸控感測器制作方法,包括下列步驟:
a提供一氧化銦錫薄膜以及一奈米球溶液,該奈米球溶液包括一液體以及奈米等級的復(fù)數(shù)個(gè)球體分子;
b將該奈米球溶液涂布于該氧化銦錫薄膜的一表面上;
c使該等球體分子自組裝排列并附著于該表面形成一遮罩層;
d利用該遮罩層的孔隙于該表面形成一金屬陣列;
e移除該遮罩層;以及
f于該氧化銦錫薄膜上制作導(dǎo)電線路。
2.如權(quán)利要求1所述的具奈米金屬陣列的可撓式觸控感測器制作方法,其中該步驟b更包括:控制該液體的高度低于該球體分子的直徑。
3.如權(quán)利要求1所述的具奈米金屬陣列的可撓式觸控感測器制作方法,其中該遮罩層僅由一層該等球體分子緊密排列組成。
4.如權(quán)利要求1所述的具奈米金屬陣列的可撓式觸控感測器制作方法,其中該步驟d更包括:該金屬陣列是利用濺鍍或電鍍方式形成于該表面。
5.如權(quán)利要求1所述的具奈米金屬陣列的可撓式觸控感測器制作方法,其中該步驟d更包括:該金屬陣列由點(diǎn)陣均勻分布的復(fù)數(shù)個(gè)三角錐金屬點(diǎn)所構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1所述的具奈米金屬陣列的可撓式觸控感測器制作方法,其中該步驟e更包括:利用一溶劑針對該表面進(jìn)行清洗以移除該遮罩層。
7.一種利用如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述方法制作的可撓式觸控感測器,包括:
一氧化銦錫薄膜,設(shè)置有觸控電極走線;以及
一金屬陣列,形成于該氧化銦錫薄膜一表面,該金屬陣列包括點(diǎn)陣均勻分布于該表面上的復(fù)數(shù)個(gè)三角錐狀金屬點(diǎn);
其中,該三角錐狀金屬點(diǎn)的底面直徑小于400奈米。
8.如權(quán)利要求7所述的可撓式觸控感測器,其中該金屬陣列是透過濺鍍或電鍍金屬方式形成于該氧化銦錫薄膜的表面。
9.如權(quán)利要求7所述的可撓式觸控感測器,其中該金屬陣列為金、銀或銅材質(zhì)金屬。
10.如權(quán)利要求7所述的可撓式觸控感測器,其中該三角錐狀金屬點(diǎn)之間的間距大于760奈米,且三角錐狀金屬點(diǎn)的高度介于60奈米至70奈米之間。
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