[發明專利]電容器以及電容器的制造方法

有效

• 申請號: 201711101176.6
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN108074738B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 齋藤善史
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01G4/232
• 分類號: H01G4/232;H01G4/248;H01G4/252;H01G9/012;H01G9/04;H01G9/048;H01G9/15
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 趙琳琳

本發明提供一種能夠提高主面中的平面度的電容器。本發明具備：導電性金屬基材(20)，具有設為多孔構造的高空隙率部(21)和空隙率比高空隙率部(21)低的低空隙率部(22)；電介質層(40)，設置在導電性金屬基材(20)上；上部電極(50)，設置在電介質層(40)上；上側引出電極(71)，設置在導電性金屬基材(20)的一個主面側，并與上部電極(50)電連接；以及下側引出電極(72)，設置在導電性金屬基材(20)的另一個主面側，并與導電性金屬基材(20)電連接。在上部電極(50)上且在隔著電介質層(40)以及上部電極(50)與低空隙率部(22)重疊的位置設置絕緣層(60)。

技術領域

本發明涉及電容器以及電容器的制造方法。

背景技術

以往，作為電容器，已知有為了得到大的靜電電容而使用了多孔構造的導電性金屬基材的電容器(例如，參照專利文獻1)。

專利文獻1的電容器具有：所述導電性金屬基材；形成在導電性金屬基材上的電介質層；形成在電介質層上的上部電極；與導電性金屬基材電連接的第一端子電極；以及與所述上部電極電連接的第二端子電極。

而且，導電性金屬基材成為具有空隙率相對高的高空隙率部和在高空隙率部的周圍且空隙率比高空隙率部低的低空隙率部的結構。關于導電性金屬基材，例如可舉出如下方法，即，預先通過對多孔金屬箔進行蝕刻處理而形成多孔層，并通過沖壓、激光等將形成的多孔層劃分一部分，從而形成高空隙率部和低空隙率部。在這樣的方法中，成為高空隙率部比低空隙率部相對突出的結構。因此，成為電容器的中央部分相對于周圍部分(端部)突出的結構。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開WO2015/118901號

可是，在上述那樣的電容器中，成為電容器的中央部分相對于周圍部分(端部)突出的結構。換言之，成為周圍部分相對于中央部分凹陷的結構。像這樣，在上述的電容器中，期望提高電容器的主面中的平面度。

發明內容

發明要解決的課題

本發明是為了解決上述問題而完成的，其目的在于，提供一種能夠提高主面中的平面度的電容器以及電容器的制造方法。

用于解決課題的技術方案

解決上述課題的電容器具備：導電性金屬基材，在一個主面具有設為多孔構造的第一空隙率部以及空隙率比該第一空隙率部低的第二空隙率部；電介質層，設置在所述導電性金屬基材上；上部電極，設置在所述電介質層上；第一端子電極，設置在所述導電性金屬基材的一個主面側，并與所述上部電極電連接；以及第二端子電極，設置在所述導電性金屬基材的另一個主面側，并與所述導電性金屬基材電連接，所述第一空隙率部以比所述第二空隙率部突出的方式構成，在所述上部電極上且在隔著所述電介質層以及所述上部電極與所述第二空隙率部重疊的位置，至少設置第一絕緣層。

根據該結構，因為在變得相對低的電容器周緣(第二空隙率部側)至少設置第一絕緣層，所以能夠消除電容器周緣的凹陷。由此，能夠提高主面中的平面度。

優選地，在上述電容器中，所述第一端子電極設 置在所述上部電極上，且沒置在隔著所述電介質層以及所述上部電極與所述第一空隙率部重疊的位置，所述第一絕緣層以包圍所述第一端子電極的周圍的方式設置在隔著所述電介質層以及所述上部電極與所述第二空隙率部重疊的位置。

根據該結構，第一絕緣層以包圍位于電容器的中央側的第一端子電極的周圍的方式設置在隔著所述電介質層以及所述上部電極與所述第二空隙率部重疊的位置。由此，成為第一端子電極不露出在電容器的側面(面向與主面正交的方向的側面)的結構，因此能夠抑制第一端子電極與第二端子電極之間的短路。