[發(fā)明專利]電容器以及電容器的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711101176.6 | 申請日： | 2017-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN108074738B | 公開（公告）日： | 2020-09-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 齋藤善史 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H01G4/232 | 分類號： | H01G4/232;H01G4/248;H01G4/252;H01G9/012;H01G9/04;H01G9/048;H01G9/15 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 趙琳琳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電容器 以及 制造 方法 | ||
1.一種電容器，具備：
導電性金屬基材，在一個主面具有設為多孔構造的第一空隙率部以及空隙率比該第一空隙率部低的第二空隙率部；
電介質層，設置在所述導電性金屬基材上；
上部電極，設置在所述電介質層上；
第一端子電極，設置在所述導電性金屬基材的一個主面?zhèn)龋⑴c所述上部電極電連接；以及
第二端子電極，設置在所述導電性金屬基材的另一個主面?zhèn)龋⑴c所述導電性金屬基材電連接，
所述第一空隙率部以比所述第二空隙率部突出的方式構成，
所述第一端子電極設置在所述上部電極上，且設置在隔著所述電介質層以及所述上部電極與所述第一空隙率部重疊的位置，
在所述上部電極上且在隔著所述電介質層以及所述上部電極與所述第二空隙率部重疊的位置，至少設置第一絕緣層，
所述第一絕緣層以包圍所述第一端子電極的周圍的方式設置。
2.根據(jù)權利要求1所述的電容器，其中，
具有：第三端子電極，以與所述第一端子電極絕緣的狀態(tài)設置在所述導電性金屬基材的主面中的設置所述第一端子電極的主面?zhèn)龋⑴c所述導電性金屬基材電連接。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的電容器，其中，
在所述電容器的端部，在所述導電性金屬基材與所述上部電極之間的任意地方具備第二絕緣層。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的電容器，其中，
在所述導電性金屬基材的另一個主面?zhèn)染邆浒鼑龅诙俗与姌O的周圍的第三絕緣層。
5.根據(jù)權利要求2所述的電容器，其中，
在所述導電性金屬基材的另一個主面?zhèn)染邆涓采w所述第二端子電極的表面的第四絕緣層。
6.一種電容器的制造方法，包括：
在導電性金屬基材上形成電介質層的工序，所述導電性金屬基材在一個主面具有設為多孔構造的第一空隙率部以及空隙率比該第一空隙率部低的第二空隙率部；
在所述電介質層上形成上部電極的工序；
在所述上部電極上且在隔著所述電介質層以及所述上部電極與所述第二空隙率部重疊的位置，至少形成第一絕緣層的工序；
以周圍被所述第一絕緣層包圍的方式在所述上部電極上且在隔著所述電介質層以及所述上部電極與所述第一空隙率部重疊的位置形成第一端子電極，使得與所述上部電極電連接的工序；以及
形成第二端子電極，使得與所述導電性金屬基材電連接的工序。
7.根據(jù)權利要求6所述的電容器的制造方法，其中，
所述電介質層通過原子層沉積法形成。
8.根據(jù)權利要求6或7所述的電容器的制造方法，其中，
所述上部電極通過原子層沉積法形成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社村田制作所，未經(jīng)株式會社村田制作所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711101176.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
