[發明專利]用于化學處理半導體襯底的方法和設備

在審

• 申請號: 201711100490.2
• 申請日: 2017-11-07
• 公開（公告）號: CN108735595A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: I.梅爾尼克;P.法思;W.約斯
• 申請（專利權）人: RCT解決方法有限責任公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/67;H01L31/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 侯宇

本發明涉及一種用于在唯一的步驟中非對稱式處理晶圓(2)的設備和方法。

技術領域

本發明涉及一種用于化學處理半導體襯底的方法。本發明還涉及一種用于化學處理半導體襯底的設備。最后，本發明涉及一種用于制造太陽能電池的方法。

背景技術

在由晶圓制造太陽能電池時的全部步驟包括對晶圓正面和背面的處理。在此有利的是，有區別地處理晶圓的正面和背面。這通常需要非常費事的方法。

例如由專利文獻DE 10 2011 056 495 A1和WO 2016/012 405 A1已知用于處理半導體襯底的方法。

發明內容

本發明要解決的一個技術問題在于，改進用于化學處理半導體襯底的方法。

上述技術問題通過按照本發明的方法解決，即一種用于化學處理半導體襯底的方法，其包括下述步驟：

-制備帶有正面和背面的半導體襯底，

-制備用于對所述半導體襯底進行織構化的設備，所述設備具有用于容納刻蝕介質的槽設備，

-制備所述槽中的刻蝕介質，

-把所述半導體襯底引入所述槽，其中，所述半導體襯底的正面和其背面都至少暫時地完全浸入刻蝕介質，

-借助所述刻蝕介質處理所述半導體襯底，使得所述半導體襯底的背面具有的反射度比所述半導體襯底的正面的反射度大至少2％。

本發明的核心在于，按如下所述地處理半導體襯底，即進行非對稱式處理、尤其進行非對稱式的織構化。這意味著，半導體襯底的正面的紋理與同一半導體襯底的背面的紋理不同。

一般而言，本發明涉及任意的、用于非對稱式處理半導體襯底的正面和背面的方法。在此例如是覆層方法、沉積方法或者結構化方法、尤其刻蝕方法。本發明尤其不限于某一種確定的方法。

借助本發明可以回蝕、例如通過產生多孔的硅來回蝕例如在半導體襯底的正面上的發射極。同時，在該半導體襯底的背面上可以進行濕法化學式邊緣絕緣。

下面首先說明本發明與晶圓的織構化有關的方面。

半導體襯底的表面的織構化通常以其反射度來表征。就此理解為在垂直入射的情況下400nm至1100nm之間的波長范圍中的平均反射度。該測量通常使用商用的分光光度計在300nm至1200nm之間的波長范圍中進行，其中400nm至1100nm之間的范圍被考慮用于評估。在此，在使用累計球的情況下既測量漫反射的光，也測量直接反射的光。

尤其規定，按如下所述地借助刻蝕介質處理半導體襯底，即半導體襯底的背面具有的反射度R_R比該半導體襯底的正面的反射度R_V大至少2％、尤其至少5％、尤其至少8％。

半導體襯底的背面的反射度R_R尤其為大于28％、尤其至少30％、尤其至少33％。

半導體襯底的正面的反射度R_V尤其為最高27％、尤其最高23％、尤其最高20％。

按照本發明的方法尤其導致半導體襯底的正面的織構化和導致半導體襯底的背面的拋光。在此，拋光過的側面理解為具有大于28％的反射度的側面。其有時也被稱為“減少的紋理”。

所述半導體襯底尤其是晶圓。尤其可以是硅晶圓、尤其可以是由多晶硅制成的晶圓。所述晶圓尤其可以具有從50μm至1000μm范圍中、尤其從140μm至200μm范圍中的厚度。所述晶圓尤其借助金剛線鋸割方法由多晶的塊狀物鋸割而成。