[發明專利]用于化學處理半導體襯底的方法和設備

在審

• 申請號: 201711100490.2
• 申請日: 2017-11-07
• 公開（公告）號: CN108735595A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: I.梅爾尼克;P.法思;W.約斯
• 申請（專利權）人: RCT解決方法有限責任公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/67;H01L31/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 侯宇

1.一種用于化學處理半導體襯底(2)的方法，其包括下述步驟：

1.1.制備帶有正面(20)和背面(19)的半導體襯底(2)，

1.2.制備用于對所述半導體襯底(2)進行織構化的設備(1)，該設備具有用于容納刻蝕介質(4)的槽(3)，

1.3.制備所述槽(3)中的刻蝕介質(4)，

1.4.把所述半導體襯底(2)引入所述槽(3)，

1.4.1.其中，所述半導體襯底(2)的正面(20)和背面(19)都至少暫時地完全浸入刻蝕介質(4)，

1.5.借助所述刻蝕介質(4)處理所述半導體襯底(2)，使得所述半導體襯底(2)的背面(19)具有的反射度(R_R)比所述半導體襯底(2)的正面(20)的反射度(R_V)大至少2％。

2.按照權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底(2)的正面(20)的織構化和所述半導體襯底(2)的背面(19)的拋光同時進行。

3.按照上述權利要求之一所述的方法，其特征在于，使用酸作為所述刻蝕介質(4)，其中，所述刻蝕介質(4)尤其具有金屬離子。

4.按照上述權利要求之一所述的方法，其特征在于，在借助所述刻蝕介質(4)處理所述半導體襯底(2)期間形成的氣泡被至少部分地從所述半導體襯底(2)的背面(19)去除。

5.按照權利要求4所述的方法，其特征在于，氣泡的去除借助機械的方法和/或借助流體力學的方法和/或借助熱學的方法和/或借助化學的方法進行。

6.按照權利要求4或5所述的方法，其特征在于，為了去除氣泡，規定了刮擦方法和/或使得槽(3)中的刻蝕介質(4)產生表面流和/或加熱所述半導體襯底(2)的背面(19)和/或向刻蝕介質(4)添加化學添加劑。

7.按照上述權利要求之一所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底(2)在處理期間基本水平地在槽(3)中定向。

8.按照上述權利要求之一所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底(2)在處理期間借助輸送裝置(7)輸送通過所述槽(3)。

9.按照權利要求8所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底(2)在輸送通過所述槽(3)時相對于所述輸送裝置(7)的輸送元件保持位置固定。

10.一種用于化學處理半導體襯底(2)的設備(1)，其包括：

10.1用于容納刻蝕介質(4)的槽(3)，

10.2用于將氣泡從布置在所述槽(3)中的半導體襯底(2)的表面(19)至少部分地去除的裝置。

11.按照權利要求10所述的設備(1)，其特征在于，用于將氣泡從布置在所述槽(3)中的半導體襯底(2)的表面(19)至少部分地去除的裝置具有用于使在所述槽(3)中的刻蝕介質(4)產生流動的器件。

12.按照權利要求11所述的設備(1)，其特征在于，用于使刻蝕介質(4)產生流動的器件被構造成，使得所述刻蝕介質(4)在其自由表面的區域中具有比在相對于自由表面垂直間隔布置的輸送平面(9)的區域中更大的水平的流速。

13.按照權利要求10至12之一所述的設備(1)，其特征在于，用于將氣泡從布置在所述槽(3)中的半導體襯底(2)的表面(19)至少部分地去除的裝置具有一個或者多個機械元件。

14.按照權利要求10至13之一所述的設備(1)，其特征在于，所述設備配設有用于把半導體襯底(2)輸送通過所述槽的輸送裝置(7)，所述輸送裝置(7)具有至少一個支承元件(10)，所述支承元件被布置成，使得所述半導體襯底(2)在輸送通過槽(3)時完全浸入所述刻蝕介質(4)。