[發明專利]浮柵、具有該浮柵的閃存器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201711100006.6
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN107863382A
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 李娟娟;田志;陳昊瑜
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L27/11521;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 智云

1.一種浮柵，位于兩相鄰的第一淺溝槽隔離和第二淺溝槽隔離之間，并通過隧穿氧化層設置在硅基襯底上，其特征在于，相鄰的所述第一淺溝槽隔離和所述第二淺溝槽隔離之間，并異于所述硅基襯底的一側形成浮柵的容置結構，且所述容置結構與所述浮柵的結構相匹配，所述浮柵之外表面積大于以所述浮柵之與所述隧穿氧化層相鄰的基底為直徑所形成的圓柱之外表面積。

2.如權利要求1所述浮柵，其特征在于，所述容置結構之緊鄰硅基襯底一側的截面底角為90～165°，所述浮柵之異于硅基襯底一側的截面頂角為15～90°。

3.如1～2任一權利要求所述浮柵，其特征在于，所述第一淺溝槽隔離和所述第二淺溝槽隔離的深度為100～3000nm。

4.一種閃存器件，具有浮柵，所述浮柵位于兩相鄰的第一淺溝槽隔離和第二淺溝槽隔離之間，并通過隧穿氧化層設置在硅基襯底上，其特征在于，相鄰的所述第一淺溝槽隔離和所述第二淺溝槽隔離之間，并異于所述硅基襯底的一側形成浮柵的容置結構，且所述容置結構與所述浮柵的結構相匹配，所述浮柵之外表面積大于以所述浮柵之與所述隧穿氧化層相鄰的基底為直徑所形成的圓柱之外表面積。

5.如權利要求4所述閃存器件，其特征在于，所述容置結構之內表面積大于以所述容置結構之緊鄰硅基襯底的基板為直徑所形成的圓柱之外表面。

6.如權利要求4所述閃存器件，其特征在于，所述容置結構呈上寬下窄型結構，所述浮柵呈上寬下窄型結構。

7.如權利要求6所述閃存器件，其特征在于，所述容置結構之截面呈倒梯形設置，所述浮柵之截面呈倒梯形設置。

8.如權利要求7所述浮柵，其特征在于，所述容置結構之緊鄰硅基襯底一側的截面底角為90～165°，所述浮柵之異于硅基襯底一側的截面頂角為15～90°。

9.如權利要求4所述閃存器件，其特征在于，所述浮柵之異于所述硅基襯底的一側被控制柵包裹，并在所述浮柵與所述控制柵之間設置柵間介質層。

10.如權利要求4所述具有該浮柵的閃存器件之制造方法，其特征在于，所述具有該浮柵的閃存器件之制造方法，包括：

執行步驟S1：提供硅基襯底，并在所述硅基襯底上間隔形成第一淺溝槽隔離、第二淺溝槽隔離，相鄰的所述第一淺溝槽隔離和所述第二淺溝槽隔離之間，并異于硅基襯底的一側形成浮柵的容置結構；

執行步驟S2：在所述第一淺溝槽隔離和所述第二淺溝槽隔離形成后，通過增加氧化層刻蝕量，使得所述容置結構之內表面積大于以所述容置結構之緊鄰硅基襯底的基板為直徑所形成的圓柱之外表面；

執行步驟S3：在所述硅基襯底上形成阱區；

執行步驟S4：在所述阱區之異于所述硅基襯底一側形成隧穿氧化層；

執行步驟S5：在所述隧穿氧化層上的容置結構內設置浮柵；

執行步驟S6：對所述浮柵進行回刻蝕；

執行步驟S7：在所述浮柵上設置控制柵，并在所述浮柵和所述控制柵之間設置柵間介質層；

執行步驟S8：對所述控制柵進行刻蝕，并進一步形成源極、漏極，以及側墻。