[發(fā)明專利]無(wú)源UHFRFID標(biāo)簽反射散射強(qiáng)度測(cè)試方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711099862.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107907748A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-04-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 冀京秋;余舒浩;邱落 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中京復(fù)電(上海)電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R29/08 | 分類號(hào): | G01R29/08 |
| 代理公司: | 上海諾衣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31298 | 代理人: | 韓國(guó)輝 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 無(wú)源 uhfrfid 標(biāo)簽 反射 散射 強(qiáng)度 測(cè)試 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及射頻標(biāo)簽技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種無(wú)源UHF RFID標(biāo)簽反射散射強(qiáng)度測(cè)試方法。
背景技術(shù)
射頻識(shí)別技術(shù)是二十世紀(jì)九十年代興起的一種無(wú)線的、非接觸方式的自動(dòng)識(shí)別技術(shù),是近幾年發(fā)展起來(lái)的前沿科技項(xiàng)目。該技術(shù)主要是利用射頻信號(hào)通過(guò)空間耦合實(shí)現(xiàn)無(wú)接觸信息傳遞并通過(guò)所傳遞的信息達(dá)到識(shí)別目的。射頻識(shí)別技術(shù)的顯著優(yōu)點(diǎn)在于非接觸性,因此完成識(shí)別工作時(shí)無(wú)需人工干預(yù),能夠?qū)崿F(xiàn)識(shí)別自動(dòng)化且不易損壞;可識(shí)別高速運(yùn)動(dòng)的射頻標(biāo)簽,也可同時(shí)識(shí)別多個(gè)射頻標(biāo)簽,操作快捷方便;射頻標(biāo)簽不怕油漬、灰塵污染等惡劣環(huán)境,且可以穿透非金屬物體進(jìn)行識(shí)別,抗干擾能力強(qiáng)。
現(xiàn)有的射頻標(biāo)簽技術(shù)中,無(wú)源UHF RFID(特高頻射頻標(biāo)簽)被廣泛的應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)中,然而,由于目前缺少對(duì)無(wú)源UHF RFID的測(cè)試設(shè)備和測(cè)試方法,使得各種工作指標(biāo)不統(tǒng)一的無(wú)源UHF RFID被混合使用,造成物聯(lián)網(wǎng)或者相應(yīng)的使用環(huán)境工作不穩(wěn)定。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題,現(xiàn)提供一種無(wú)源UHF RFID標(biāo)簽反射散射強(qiáng)度測(cè)試方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用了如下的技術(shù)方案:
一種無(wú)源UHF RFID標(biāo)簽反射散射強(qiáng)度測(cè)試方法,其中,提供一RFID標(biāo)簽讀寫器及一射頻信號(hào)分析裝置,包括以下步驟:
步驟1,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目定義復(fù)數(shù)個(gè)測(cè)試用例,并選取一測(cè)試用例;
步驟2,根據(jù)選取的所述測(cè)試用例設(shè)置所述RFID標(biāo)簽讀寫器參數(shù);
步驟3,根據(jù)選取的所述測(cè)試用例設(shè)置所述射頻信號(hào)分析裝置參數(shù),使所述射頻信號(hào)分析裝置工作于相應(yīng)的信號(hào)分析模式;
步驟4,使所述RFID標(biāo)簽讀寫器以無(wú)線形式向一置于電波暗室內(nèi)的待測(cè)試標(biāo)簽發(fā)送指令;
步驟5,使所述射頻信號(hào)分析裝置采集所述RFID標(biāo)簽讀寫器與所述待測(cè)試標(biāo)簽通信過(guò)程中的射頻信號(hào);
步驟6,分析采集到的所述射頻信號(hào),并記錄所述待測(cè)試標(biāo)簽返回信號(hào)的反射強(qiáng)度;
步驟7,根據(jù)所述待測(cè)試標(biāo)簽返回信號(hào)的反射強(qiáng)度,計(jì)算所述待測(cè)試標(biāo)簽端的反向散射強(qiáng)度;
步驟8,選取下一測(cè)試用例,并重復(fù)所述步驟2至所述步驟7,直至所有所述測(cè)試用例測(cè)試完畢。
本發(fā)明的另一方面,還包括天線及環(huán)形器,所述射頻信號(hào)分析裝置的輸入接口連接所述環(huán)形器的第一端口,所述RFID標(biāo)簽讀寫器的射頻接口連接所述環(huán)形器的第二端口,所述環(huán)形器的第三端口連接所述天線,所述天線設(shè)置于所述電波暗室內(nèi),所述待測(cè)試標(biāo)簽置于所述電波暗室內(nèi),并與所述天線具有預(yù)定距離。
本發(fā)明的另一方面,所述射頻信號(hào)分析裝置為矢量信號(hào)分析儀。
本發(fā)明的另一方面,所述RFID標(biāo)簽讀寫器的工作頻率為840MHz~845MHz和/或920MHz~925MHz。
本發(fā)明的另一方面,所述電波暗室內(nèi)徑2.5米。
本發(fā)明的另一方面,所述預(yù)定距離為1米。
本發(fā)明的另一方面,所述步驟2中,所述RFID標(biāo)簽讀寫器發(fā)射功率設(shè)置為20dBm。
本發(fā)明的另一方面,所述步驟4中,所述指令為滿足T2要求的啟動(dòng)查詢命令。
本發(fā)明的另一方面,所述天線極化方式為線極化。
本發(fā)明的另一方面,所述天線增益為8.5dBi。
本發(fā)明獲得了以下有益效果:
可對(duì)無(wú)源UHF RFID標(biāo)簽的反射散射強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)試。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明無(wú)源UHF RFID標(biāo)簽反射散射強(qiáng)度測(cè)試方法的流程框圖;
圖2為本發(fā)明無(wú)源UHF RFID標(biāo)簽反射散射強(qiáng)度測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明,但不作為本發(fā)明的限定。
本發(fā)明提供一種無(wú)源UHF RFID標(biāo)簽反射散射強(qiáng)度測(cè)試方法,如圖1、圖2所示,其中,提供一RFID標(biāo)簽讀寫器2及一射頻信號(hào)分析裝置1,包括以下步驟:
步驟1,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目定義復(fù)數(shù)個(gè)測(cè)試用例,并選取一測(cè)試用例;
步驟2,根據(jù)選取的所述測(cè)試用例設(shè)置所述RFID標(biāo)簽讀寫器2的參數(shù);
步驟3,根據(jù)選取的所述測(cè)試用例設(shè)置所述射頻信號(hào)分析裝置1的參數(shù),使所述射頻信號(hào)分析裝置1工作于相應(yīng)的信號(hào)分析模式;
步驟4,使所述RFID標(biāo)簽讀寫器2以無(wú)線形式向一置于電波暗室6內(nèi)的待測(cè)試標(biāo)簽5發(fā)送指令;
步驟5,使所述射頻信號(hào)分析裝置1采集所述RFID標(biāo)簽讀寫器2與所述待測(cè)試標(biāo)簽5通信過(guò)程中的射頻信號(hào);
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R29-00 不包括在G01R 19/00至G01R 27/00各組中的電量的測(cè)量或指示裝置
G01R29-02 .單個(gè)脈沖特性的測(cè)量,如脈沖平度的偏差、上升時(shí)間、持續(xù)時(shí)間
G01R29-04 .形狀因數(shù)的測(cè)量,即瞬時(shí)值的均方根值和算術(shù)平均值的商;峰值因數(shù)的測(cè)量,即最大值和均方根值的商
G01R29-06 .調(diào)制深度的測(cè)量
G01R29-08 .電磁場(chǎng)特性的測(cè)量
G01R29-12 .靜電場(chǎng)的測(cè)量
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