[發明專利]一種MOS型器件的制造方法有效
| 申請號： | 201711097266.2 | 申請日： | 2017-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN107887447B | 公開（公告）日： | 2021-01-19 |
| 發明（設計）人： | 楊同同;柏松;黃潤華 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/80 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mos 器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種MOS型器件的制造方法，其特征在于，包含以下步驟：
（1）在外延層上刻蝕形成臺面；
（2）在臺面上方外延生長初始阱區域，初始阱區域的高度要大于或等于臺面的高度，通過CMP工藝對初始阱區域進行處理，形成表面光滑的阱區域，得到的阱區域的高度與臺面高度相同；
（3）對阱區域刻蝕形成槽區域；
（4）在步驟（3）中形成的阱區域和槽區域上方外延生長得到初始源區域，所述初始源區域的厚度要大于槽區域的深度，且初始源區域的高度要高于臺面的高度，CMP工藝對得到的初始源區域進行處理，得到表面光滑的源區域，所述源區域高度與臺面高度相同；
（5）在臺面上方形成柵氧化層和柵極；
（6）隨后金屬化得到源極和漏極；
（7）淀積隔離介質層。
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