[發明專利]OPC修正方法有效
| 申請號: | 201711097082.6 | 申請日: | 2017-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN108009316B | 公開(公告)日: | 2021-08-13 |
| 發明(設計)人: | 王丹;毛智彪;于世瑞 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | G06F30/398 | 分類號: | G06F30/398;G03F1/36 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四華 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | opc 修正 方法 | ||
本發明公開了一種OPC修正方法,包括步驟:步驟一、對已知熱點圖形進行歸納和總結;步驟二、對已知熱點圖形的處理方法進行歸納和總結;步驟三、制定出已知熱點圖形和潛在熱點圖形的識別規則;步驟四、制定出已知熱點圖形和潛在熱點圖形進行預先處理的預處理規則;步驟五、對新設計的掩模板版圖進行已知熱點圖形和潛在熱點圖形識別,將識別出的已知熱點圖形和潛在熱點圖形按照進行預處理,對預處理后的新設計的掩模板版圖進行OPC修正。本發明能減少或消除OPC修正后的熱點數量,從而能節約OPC工程師時間、OPC運算時間和軟硬件資源。
技術領域
本發明涉及一種半導體集成電路制造方法,特別是涉及一種光學臨近效應校正(Optical Proximity Correction,OPC)修正方法。
背景技術
在半導體集成電路的光刻工藝中,電路的圖形結構首先定義在掩模板版圖上,之后通過光刻將掩模板版圖上的圖形結構轉移到形成于晶圓表面的光刻膠上并形成光刻膠圖形。由于在光刻過程中,由于圖形的尺寸和光刻的波長的尺寸接近甚至更小時,由于光的干涉、衍射和顯影等原因會導致曝光在光刻膠上的圖形和掩模板版圖上的圖形不一致,產生光學臨近效應(Optical Proximity Effect,OPE)的失真。所以為了在光刻膠上形成需要的圖形,需要對掩模板版圖上的圖形進行OPC修正,經過OPC修正后的掩模板版圖上的圖形尺寸雖然和要求的不一致,但是經過曝光轉移到光刻膠上之后光刻膠上的圖形和要求一致。
但是隨著集成度的增加,圖形尺寸越來越小、版圖設計越來越復雜,OPC修正過程中會遇到越來越多的熱點,熱點為OPC修正后的光刻版版圖上出現各種問題的點,這些點對應的圖形在本申請中定義為熱點圖形,由于熱點圖形都是有問題的圖形,故需要對熱點圖形進行處理并在處理后能消除這些熱點。
由于在掩模板版圖的設計中不可避免的會出現熱點,故現有OPC修正方法中會出現多次OPC修正,現有對版圖常規處理方法即現有OPC修正方法為:
先對掩模板版圖做OPC修正。
之后,對OPC修正后的掩模板版圖做OPC檢查;復雜的掩模板版圖的OPC檢查結果中會找到許多熱點。
當在OPC檢查中發現熱點時,需要OPC工程師針對檢查到的熱點進行OPC程式的調整即對需要對熱點圖形進行處理。
對進行了熱點圖形處理之后的掩模板版圖重新做OPC修正;之后,再進行OPC檢查;反復進行OPC修正、OPC檢查、熱點處理直至OPC檢查結果滿足產品出版要求即經過最后的OPC修正的掩模板版圖不再出現熱點,可以直接制作掩模板版圖。
由上可知,現有方法中針對熱點的處理需要消耗大量OPC工程師時間、大量OPC運算時間和大量軟硬件資源,而且隨著集成度的提高,圖形尺寸的縮小,熱點的數量會增加。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種OPC修正方法,能減少或消除OPC修正后的熱點數量,從而能節約OPC工程師時間、OPC運算時間和軟硬件資源。
為解決上述技術問題,本發明提供的OPC修正方法包括如下步驟:
步驟一、將已做過OPC修正的掩模板版圖中出現的熱點圖形作為已知熱點圖形并對所述已知熱點圖形進行歸納和總結。
步驟二、對所述已知熱點圖形的處理方法進行歸納和總結。
步驟三、根據步驟一中的歸納和總結結果制定出在新設計的掩模板版圖中識別所述已知熱點圖形和潛在熱點圖形的識別規則,所述潛在熱點圖形為在所述已知熱點圖形上擴展形成的圖形。
步驟四、根據步驟二中的歸納和總結結果制定出對新設計的掩模板版圖中的所述已知熱點圖形和所述潛在熱點圖形進行預先處理的預處理規則。
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