[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201711096653.4
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN108063139B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發明（設計）人: 全輝璨;裵德漢;申憲宗;張在蘭;趙文祺;曹永宇
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L23/64
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種半導體器件，包括：

包括第一區域和第二區域的基板；

在所述基板的所述第一區域上的單元柵圖案；

在所述基板的所述第二區域上的虛設柵圖案；

覆蓋所述單元柵圖案和所述虛設柵圖案的下層間絕緣層；

在所述基板的所述第二區域上且在所述虛設柵圖案之上的電阻器圖案，所述電阻器圖案包括主體區和在所述主體區的兩側的連接區，在平面圖中，所述虛設柵圖案交疊所述主體區；以及

聯接到所述連接區的每個的連接結構，所述連接結構穿透所述電阻器圖案使得所述連接結構的底表面位于所述下層間絕緣層中，所述連接結構的所述底表面接觸所述下層間絕緣層，當在平面圖中看時，所述虛設柵圖案不交疊所述連接區。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述連接結構包括下接觸和在所述下接觸上的連接通路，以及

所述下接觸和所述連接通路的其中之一在豎直方向上完全穿透所述電阻器圖案。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中

所述下接觸是條形結構，以及

所述下接觸在所述虛設柵圖案的縱長方向上延伸或所述下接觸在交叉所述虛設柵圖案的所述縱長方向的方向上延伸。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中

所述下接觸完全穿透所述連接區中的對應一個連接區并且包括位于所述連接區中的所述對應一個連接區的下面的部分，以及

所述連接通路聯接到所述下接觸的頂表面。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，還包括：

在所述單元柵圖案的一側的源/漏區；

連接到所述源/漏區的源/漏接觸；以及

在所述單元柵圖案上的柵接觸，其中

所述下接觸的底表面高于所述源/漏接觸的底表面，以及

所述下接觸的所述底表面低于所述柵接觸的底表面。

6.根據權利要求2所述的半導體器件，其中

所述下接觸在所述連接區中的對應一個連接區下面，以及

所述連接通路完全穿透所述連接區中的所述對應一個連接區，從而聯接到所述下接觸。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，還包括，

在所述單元柵圖案的一側的源/漏區；

連接到所述源/漏區的源/漏接觸；以及

在所述單元柵圖案上的柵接觸，其中

所述電阻器圖案位于比所述源/漏接觸和所述柵接觸的頂表面高的水平。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述連接結構包括下接觸和在所述下接觸上的連接通路，

所述下接觸包括第一部分和第二部分，

所述第一部分在所述連接區中的對應一個連接區下面并且交疊所述連接區中的所述對應一個連接區，

所述第二部分從所述第一部分延伸并且不交疊所述連接區的所述對應一個連接區，

所述第一部分接觸所述連接區中的所述對應一個連接區，以及

所述連接通路與所述連接區中的所述對應一個連接區間隔開并且接觸所述第二部分。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中

所述電阻器圖案包括從所述連接區中的所述對應一個連接區朝向所述下接觸向下延伸的延伸部分，以及

所述延伸部分與所述第一部分接觸。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，還包括：

在所述下接觸和所述電阻器圖案之間的緩沖絕緣圖案，其中

所述緩沖絕緣圖案限定暴露所述第一部分的開口，以及

所述延伸部分在所述開口中。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述電阻器圖案包括其長軸平行于第一方向的板狀結構，

所述連接區在所述第一方向上彼此間隔開，所述主體區在所述連接區之間，以及

所述第一方向交叉所述虛設柵圖案的縱長方向。