[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711095986.5
• 申請日: 2017-11-07
• 公開（公告）號: CN108573929B
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃冠育;黃松輝;李百淵;許書嘉;李祥帆;黃思博
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

本發(fā)明實施例揭示一種半導(dǎo)體裝置，其包含襯底、電子組件、環(huán)形結(jié)構(gòu)及粘合劑層。所述襯底具有第一表面。所述電子組件在所述襯底的所述第一表面上方。所述環(huán)形結(jié)構(gòu)在所述襯底的所述第一表面上方，其中所述環(huán)形結(jié)構(gòu)包含具有第一高度的第一部分及從底表面凹陷且具有低于所述第一高度的第二高度的第二部分。所述粘合劑層插入在所述環(huán)形結(jié)構(gòu)的所述第一部分與所述襯底之間及所述環(huán)形結(jié)構(gòu)的所述第二部分與所述襯底之間。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置受到廣泛范圍的溫度變化的影響。歸因于各種結(jié)構(gòu)層的熱膨脹系數(shù)(CTE)的差異，半導(dǎo)體裝置遭遇翹曲問題。為了控制此翹曲，例如加強筋的環(huán)形結(jié)構(gòu)被并入到半導(dǎo)體裝置中。加強環(huán)為半導(dǎo)體裝置提供額外的支撐，因此減少翹曲。然而，歸因于熱循環(huán)期間的溫度變化，加強環(huán)傾向于分層，且因此不利地影響半導(dǎo)體裝置的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例涉及一種半導(dǎo)體裝置，其包括：襯底，其具有第一表面；電子組件，其在所述襯底的所述第一表面上方；環(huán)形結(jié)構(gòu)，其在所述襯底的所述第一表面上方，其中所述環(huán)形結(jié)構(gòu)包含面向所述襯底的所述第一表面的底表面，所述環(huán)形結(jié)構(gòu)包含具有第一高度的第一部分及從所述底表面凹陷且具有低于所述第一高度的第二高度的第二部分；及粘合劑層，其插入在所述環(huán)形結(jié)構(gòu)的所述第一部分與所述襯底之間及所述環(huán)形結(jié)構(gòu)的所述第二部分與所述襯底之間。

本發(fā)明實施例涉及一種半導(dǎo)體裝置，其包括：襯底，其具有第一表面；電子組件，其在所述襯底的所述第一表面上方；環(huán)形結(jié)構(gòu)，其在所述襯底的所述第一表面上方且與所述電子組件的邊緣相鄰，其中所述環(huán)形結(jié)構(gòu)包含面向所述襯底的所述第一表面的底表面；及粘合劑層，其插入在所述襯底的所述第一表面與所述環(huán)形結(jié)構(gòu)的所述底表面之間，其中所述粘合劑層包含具有第一厚度的第一部分及具有第二厚度的第二部分，且所述第二厚度大于所述第一厚度。

本發(fā)明實施例涉及一種半導(dǎo)體裝置，其包括：襯底，其具有第一表面；電子組件，其在所述襯底的所述第一表面上方；環(huán)形結(jié)構(gòu)，其在所述襯底的所述第一表面上方，其中所述環(huán)形結(jié)構(gòu)包含面向所述襯底的所述第一表面的底表面；及粘合劑層，其插入在所述襯底的所述第一表面與所述環(huán)形結(jié)構(gòu)的所述底表面之間，其中所述粘合劑層進一步經(jīng)延伸以安置在所述環(huán)形結(jié)構(gòu)的內(nèi)邊緣上。

附圖說明

在結(jié)合附圖閱讀時根據(jù)以下詳述最佳地理解本發(fā)明的實施例的方面。應(yīng)注意，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)行業(yè)慣例，各種結(jié)構(gòu)不一定按比例繪制。實際上，為了使討論清楚起見可任意增大或減小各種結(jié)構(gòu)的尺寸。

圖1是說明根據(jù)本發(fā)明實施例的一或多個實施例的各個方面的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的一或多個實施例的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。

圖2A是沿著圖2的線A-A'截取的半導(dǎo)體裝置的示意橫截面視圖。

圖2B是沿著圖2的線B-B'截取的半導(dǎo)體裝置的示意橫截面視圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的一或多個實施例的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。

圖3A是沿著圖3的線C-C'截取的半導(dǎo)體裝置的示意橫截面視圖。

圖3B是沿著圖3的線D-D'截取的半導(dǎo)體裝置的示意橫截面視圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的一或多個實施例的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。

圖4A是沿著圖4的線E-E'截取的半導(dǎo)體裝置的示意橫截面視圖。

圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的一或多個實施例的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的一或多個實施例的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。

圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的一或多個實施例的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。