[發明專利]包括具有多層結構的反射器層的半導體發光裝置在審
| 申請號: | 201711091194.0 | 申請日: | 2017-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN108075021A | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發明(設計)人: | 金廷城;郭重熙;梁成錫 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L33/38 | 分類號: | H01L33/38;H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 張帆;張青 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開口 半導體層 子電極層 絕緣層 半導體發光裝置 第一電極 多層結構 發光結構 反射器層 電連接 堆疊 源層 暴露 | ||
一種半導體發光裝置包括:發光結構,其包括按次序堆疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層;第二半導體層上的第一絕緣層,其包括具有第一寬度的多個第一開口和具有與第一寬度不同的第二寬度的多個第二開口;第一電極,其通過第一開口電連接至第一半導體層;第二半導體層與第一絕緣層之間的第一子電極層,第一子電極層通過第二開口暴露出來;以及第一絕緣層上的第二子電極層,所述第二子電極層通過第二開口連接至第一子電極層,其中,彼此最為靠近的第一開口之間的第一距離不同于彼此最為靠近的第二開口之間的第二距離。
相關申請的交叉引用
于2016年11月16日在韓國知識產權局提交的標題為“包括具有多層結構的反射器層的半導體發光裝置”的韓國專利申請No.10-2016-0152800以引用方式全文并入本文中。
技術領域
實施例涉及一種半導體發光裝置,并且更具體地說,涉及一種包括具有多層結構的反射器層的半導體發光裝置。
背景技術
例如發光二極管的半導體發光裝置可為其材料發射光的裝置。在半導體發光裝置中,結型半導體的電子和空穴彼此復合以產生能量,并且產生的能量可轉換為光。轉換的光可從半導體發光裝置發出。半導體發光裝置廣泛用于例如照明設備、顯示裝置和光源中,并且其發展正在加速。
具體地說,基于氮化鎵(GaN)的發光二極管已商業化,例如,用于便攜式電話的鍵盤、轉向信號燈和相機閃光燈中。另外,利用發光二極管研發了通用照明設備。此外,發光二極管已用于例如大尺寸電視的背光單元和車輛大燈的大型應用產品中。
發明內容
在一個方面,一種半導體發光裝置可包括:發光結構,其包括按次序堆疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層;布置在第二半導體層上的第一絕緣層,所述第一絕緣層包括多個第一開口以及多個第二開口,所述多個第一開口中的每一個具有第一寬度,所述多個第二開口中的每一個具有與第一寬度不同的第二寬度;第一電極,其通過第一開口電連接至第一半導體層;第一子電極層,其布置在第二半導體層與第一絕緣層之間并且通過第二開口暴露出來;以及第二子電極層,其布置在第一絕緣層上并且通過第二開口連接至第一子電極層。彼此最為靠近的第一開口之間的第一距離可與彼此最為靠近的第二開口之間的第二距離不同。
在一個方面,一種半導體發光裝置可包括:生長襯底;發光結構,其包括按次序堆疊在生長襯底上的第一半導體層、有源層和第二半導體層,所述發光結構包括暴露出第一半導體層的第一區和比第一區更厚的第二區;透明電極層,其布置在第二區上并且與第二半導體層接觸;第一絕緣層,其布置在第一區和第二區上,并且具有暴露出第一半導體層的第一開口和暴露出透明電極層的第二開口;反射性金屬層,其與通過第一開口暴露的第一半導體層接觸;以及布置在第二區上的第一絕緣層上的子電極層。所述子電極層可與通過第二開口暴露的透明電極層接觸。第一開口中的每一個的第一寬度可大于第二開口中的每一個的第二寬度,并且彼此最為靠近的第一開口之間的第一距離可大于彼此最為靠近的第二開口之間的第二距離。
在一個方面,一種半導體發光裝置可包括:發光結構,其包括按次序堆疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層;第二半導體層上的第一電極;第二半導體層與第一電極之間的第二電極;以及連接觸件,其布置在穿透第二電極、第二半導體層和有源層以暴露出第一半導體層的第一開口中。第二電極可包括與第二半導體層接觸的透明電極層、布置在透明電極層上并且包括暴露出透明電極層的多個第二開口的第一絕緣層以及布置在第一絕緣層上并且延伸至第二開口中以與透明電極層接觸的反射性金屬層。第一開口可按照二維方式布置,并且第二開口可按照二維方式布置。第一開口中的每一個的第一寬度可大于第二開口中的每一個的第二寬度,并且彼此最為靠近的第一開口之間的第一距離可大于彼此最為靠近的第二開口之間的第二距離。
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