[發明專利]包括具有多層結構的反射器層的半導體發光裝置

在審

• 申請號: 201711091194.0
• 申請日: 2017-11-08
• 公開（公告）號: CN108075021A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 金廷城;郭重熙;梁成錫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

1.一種半導體發光裝置，包括：

發光結構，其包括按次序堆疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層；

第二半導體層上的第一絕緣層，所述第一絕緣層包括：

多個第一開口，所述多個第一開口中的每一個具有第一寬度，以及

多個第二開口，所述多個第二開口中的每一個具有與第一寬度不同的第二寬度；

第一電極，其通過第一開口電連接至第一半導體層；

第二半導體層與第一絕緣層之間的第一子電極層，所述第一子電極層通過第二開口暴露出來；以及

第一絕緣層上的第二子電極層，所述第二子電極層通過第二開口連接至第一子電極層，

其中，彼此最為靠近的第一開口之間的第一距離不同于彼此最為靠近的第二開口之間的第二距離。

2.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其中，第一寬度大于第二寬度，并且第一距離大于第二距離。

3.根據權利要求2所述的半導體發光裝置，其中，第二寬度小于10μm，并且第二距離在10μm至50μm的范圍內。

4.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其中，第一開口和第二開口中的每一個具有圓形的平面形狀或多邊形的平面形狀。

5.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其中，第二開口沿著第一方向和垂直于第一方向的第二方向排列，并且當在平面圖中看時彼此最為靠近的四個第二開口的中心形成正方形。

6.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其中，第二開口沿著第一方向或者垂直于第一方向的第二方向按照z字形排列，并且當在平面圖中看時彼此最為靠近的三個第二開口的中心形成等邊三角形。

7.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其中：

發光結構包括：

臺面區，以及

蝕刻區，其具有比臺面區的厚度更小的厚度，所述蝕刻區將第一半導體層暴露出來，

第一絕緣層覆蓋臺面區和蝕刻區，并且

第一開口穿透蝕刻區上的第一絕緣層，以暴露出第一半導體層。

8.根據權利要求7所述的半導體發光裝置，其中，第一電極通過第一開口與第一半導體層直接接觸。

9.根據權利要求8所述的半導體發光裝置，其中，第一電極包括銀或鋁。

10.根據權利要求7所述的半導體發光裝置，還包括第一半導體層上的生長襯底。

11.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，還包括連接觸件，所述連接觸件中的每一個穿透第二子電極層、第一開口中的每一個、第一子電極層、第二半導體層和有源層，以與第一半導體層接觸，

其中，第一電極通過連接觸件電連接至第一半導體層。

12.根據權利要求11所述的半導體發光裝置，其中：

第一電極包括第二子電極層上的導電襯底，并且

所述半導體發光裝置還包括第二子電極層與導電襯底之間的第二絕緣層。

13.根據權利要求12所述的半導體發光裝置，其中，將發光結構的局部區完全去除，以暴露出第一子電極層。

14.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其中，第一絕緣層包括氧化硅(SiO2)層。

15.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其中，第一絕緣層具有氧化硅層和氧化鈦(TiO2)層交替重復地堆疊的結構、或者氧化硅層和氧化鈮(Nb2O5)層交替重復地堆疊的結構。