[發明專利]一種制備石墨烯肖特基結的方法在審
| 申請號： | 201711086556.7 | 申請日： | 2017-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN108133885A | 公開（公告）日： | 2018-06-08 |
| 發明（設計）人： | 徐安麗;王剛;陳達;郭慶磊;張楠;李久榮;向鵬程;楊思維;丁古巧 | 申請（專利權）人： | 寧波大學 |
| 主分類號： | H01L21/285 | 分類號： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海精晟知識產權代理有限公司 31253 | 代理人： | 廖斌 |
| 地址： | 310000 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石墨烯 襯底 肖特基結 薄膜層 制備 肖特基器件 襯底表面 階段保溫 階段生長 排除空氣 器件結構 優異性能 直接生長 碳原子 電極 上旋 沉積 冷卻 分解 生長 制作 | ||
1.一種制備石墨烯肖特基結的方法，其特征在于，包括下列步驟：
(1)提供一鍺襯底，并在該鍺襯底上選擇一特定區域；
(2)在該鍺襯底的特定區域上旋涂形成PMMA薄膜層；
(3)將該鍺襯底放入PECVD設備的管式爐中，使管式爐中溫度升至4400℃-600℃，壓力降至0.14mbar-0.2mbar，同時對管式爐中持續通入氬氣，進行第一階段保溫，持續時間10min-60min，以排除空氣、增強PMMA薄膜層中PMMA活性；
(4)在管式爐中打開100W-300W的射頻，進行第二階段生長，持續時間10min-60min，使鍺襯底上的特定區域的PMMA薄膜層中PMMA的碳原子分解出來并沉積于鍺襯底表面形成石墨烯；
(5)使鍺襯底冷卻降至室溫；
(6)在鍺襯底上長有石墨烯的特定區域和沒有石墨烯的區域上分別生長一層金作為電極，以連接石墨烯與襯底鍺間形成肖特基結。
2.根據權利要求1所述的一種制備石墨烯肖特基結的方法，其特征在于，所述鍺襯底的特定區域上旋涂形成的PMMA薄膜層的厚度為1μm-2μm。
3.根據權利要求2所述的一種制備石墨烯肖特基結的方法，其特征在于，所述鍺襯底的特定區域上旋涂形成的PMMA薄膜層的厚度為1μm。
4.根據權利要求1或3所述的一種制備石墨烯肖特基結的方法，其特征在于，所述第一階段保溫中，管式爐中溫度升至600℃，壓力降至0.14mbar，同時時間持續60min。
5.根據權利要求4所述的一種制備石墨烯肖特基結的方法，其特征在于，所述第二階段生長中，管式爐中打開100W的射頻，持續時間60min。
6.根據權利要求5所述的一種制備石墨烯肖特基結的方法，其特征在于，所述步驟(5)中，鍺襯底緩慢冷卻至室溫。
7.根據權利要求5或6所述的一種制備石墨烯肖特基結的方法，其特征在于，在鍺襯底上長有石墨烯的特定區域和沒有石墨烯的區域上通過鍍膜的方式分別生長一層金作為電極。
8.根據權利要求7所述的一種制備石墨烯肖特基結的方法，其特征在于，所述鍍膜的方式為電子束蒸發和磁控濺射的其中一種。
9.根據權利要求1或8所述的一種制備石墨烯肖特基結的方法，其特征在于，所述步驟(2)中，先在鍺襯底上旋涂形成整片PMMA薄膜層，然后選定特定區域，覆蓋與特定區域形狀相同的掩膜板至特定區域的PMMA薄膜層上，再通過臭氧蝕刻鍺襯底上除特定區域外的其他區域上的PMMA薄膜層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于寧波大學，未經寧波大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711086556.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：肖特基勢壘整流器及其制備方法
- 下一篇：一種DBC基板背面研磨的方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
