[發(fā)明專利]具有集成電感器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711085852.5
• 申請(qǐng)日: 2017-11-07
• 公開（公告）號(hào): CN109524388B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李名哲;陳奕男;陳升照;周正賢;蔡正原
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64;H01L23/522
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括：

襯底；

所述襯底上方的第一鈍化層；

所述第一鈍化層上方的第二鈍化層；及

所述第二鈍化層中的磁芯；

其中所述磁芯包含第一磁性材料層及在所述第一磁性材料層上方的第二磁性材料層，所述第一磁性材料層及所述第二磁性材料層被高電阻隔離層分離，所述高電阻隔離層具有大于1.3歐姆·厘米的電阻率，所述磁芯進(jìn)一步包括在所述第二磁性材料層的頂表面上的低電阻隔離層，且所述低電阻隔離層具有小于1.3歐姆·厘米的電阻率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述磁芯進(jìn)一步包括所述高電阻隔離層與所述第二磁性材料層之間的金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中高電阻隔離層包含Si₃N₄。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中高電阻隔離層包含AlN。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中高電阻隔離層包含Al₂O₃。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述金屬層包含鉭(Ta)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述磁芯進(jìn)一步包括在所述第二磁性材料層的頂表面上的另一高電阻隔離層，且所述另一高電阻隔離層具有大于1.3歐姆·厘米的電阻率。

8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括：

第一鈍化層；

所述第一鈍化層上方的第二鈍化層；

所述第二鈍化層上方的第三鈍化層；

所述第一鈍化層中的下部線圈段；

所述第三鈍化層中的上部線圈段；及

磁芯，其在所述第二鈍化層中且與所述下部線圈段及所述上部線圈段絕緣；

其中所述磁芯包含第一磁性材料層及在所述第一磁性材料層上方的第二磁性材料層，所述第一磁性材料層及所述第二磁性材料層被包含高電阻隔離層及低電阻隔離層的復(fù)合隔離層分離，且所述高電阻隔離層的電阻率大于所述低電阻隔離層的電阻率。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述高電阻隔離層在所述低電阻隔離層上方。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述高電阻隔離層具有大于1.3歐姆·厘米的電阻率，且所述低電阻隔離層具有小于1.3歐姆·厘米的電阻率。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述磁芯進(jìn)一步包括所述高電阻隔離層與所述第二磁性材料層之間的金屬層。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述磁芯進(jìn)一步包括在所述第一磁性材料層的底表面下方的金屬層。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述低電阻隔離層包含所述第一磁性材料層的氧化物。

14.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括：

第一鈍化層；

所述第一鈍化層上方的第二鈍化層；

所述第二鈍化層上方的第三鈍化層；

所述第一鈍化層中的下部線圈段；

所述第三鈍化層中的上部線圈段；及

磁芯，其在所述第二鈍化層中且與所述下部線圈段及所述上部線圈段絕緣；

其中所述磁芯從底部到頂部包含第一磁性材料層、第二磁性材料層、第三磁性材料層及第四磁性材料層，所述第一磁性材料層及所述第二磁性材料層被第一低電阻隔離層分離，所述第二磁性材料層及所述第三磁性材料層被高電阻隔離層分離，所述第三磁性材料層及所述第四磁性材料層被第二低電阻隔離層分離，且所述高電阻隔離層的電阻率大于所述低電阻隔離層的電阻率。