[發明專利]一種提高金屬有機物化學氣相沉積設備生產效率的爐外裝片方法在審
| 申請號: | 201711085464.7 | 申請日: | 2017-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN109750278A | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發明(設計)人: | 王建立;張義;馬旺;王成新;肖成峰 | 申請(專利權)人: | 山東浪潮華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C30B25/12;C30B29/40 |
| 代理公司: | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人: | 呂利敏 |
| 地址: | 261061 *** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬有機物化學氣相沉積設備 襯底 吸筆 超凈工作臺 托盤 生產效率 裝片 鑷子 外裝片 放入 小泵 襯底表面 旋轉蓋板 裝片操作 反應室 潔凈度 工作臺 吹掃 去除 水氧 外置 預裝 污染 軸承 印記 保證 生長 改進 | ||
一種提高金屬有機物化學氣相沉積設備生產效率的爐外裝片方法,其特征在于,在金屬有機物化學氣相沉積設備外進行裝片、再將整個托盤和襯底一起放入預裝室,吹掃去除水氧、然后將托盤和襯底一起放入所述金屬有機物化學氣相沉積設備的反應室,進行生長。本發明所述方法不但克服了現有技術的多個難題,還使金屬有機物化學氣相沉積設備生產效率大大提高。通過超凈工作臺保證襯底表面的潔凈度。通過在超凈工作臺設置軸承和旋轉蓋板,保證托盤可以旋轉裝片,操作更加容易,不容易污染襯底。在超凈工作臺改進裝片工具:增加了外置吸筆小泵,吸筆小泵的吸筆在工作臺內,使用吸筆進行裝片操作,避免使用鑷子產生鑷子印記,污染襯底,從而提升產品質量。
技術領域
本發明涉及一種提高金屬有機物化學氣相沉積設備生產效率的爐外裝片方法,屬于提升金屬有機物化學氣相淀積系統生產效率的技術領域。
背景技術
德國金屬有機物化學氣相淀積設備生產廠商愛思強(AIXTRON)生產的CRIUS II型金屬有機物化學氣相淀積(MOCVD)系統,該系統的核心工作主要是在反應室內完成,也就是在特定的壓力和溫度下,在反應室腔體內發生化學反應,形成化合物,再沉積到藍寶石(Al2O3)襯底上,就產生了外延的產品-外延片。
整個生產流程是:在手套箱內的反應室上蓋打開后,用吸筆向反應室內托盤的槽內放置襯底-襯底放置完畢,關閉反應室上蓋-開始運行程序進行外延生長-長完后,打開反應室上蓋-用吸筆將外延片從托盤槽內取出-用毛刷刷反應室上蓋的灰塵-更換烘烤過的潔凈托盤-用吸筆在手套箱內向托盤槽內放置襯底,整個流程,如圖1所示,其中的裝片操作基本都是在手套箱內部完成,在手套箱內部裝片,因為要戴著厚厚的手套操作,特別不方便,裝片速度又比較慢,而且還比較容易產生波長異常的外延片。
手套箱內裝片,需要帶一副塑膠手套,裝一爐襯底55片,大約需要15分鐘,時間太長,效率太低,如果在爐外裝片大約需要7分鐘左右,這樣僅僅裝片時間,就節約了一半時間。由于裝片時手臂距離托盤槽的距離不同,所以裝片時需要用手隨時轉動托盤,以便于更容易把襯底裝入托盤槽內,由于手套箱內的灰塵比較多,手套上也會沾染灰塵,用手轉盤的時候手套碰上托盤,很容易將托盤弄臟,會導致外延片表面有顆粒,進而影響外延片品質。手套箱內裝片,由于手臂需要長期戴著手套,手臂會出很多汗,也比較累,操作時不容易一次將襯底完全放入槽內,導致第二次觸碰襯底,這樣容易污染襯底,也會導致外延片表面顆粒。
目前,德國金屬有機物化學氣相淀積設備生產廠商愛思強(AIXTRON)生產的CRIUSII型金屬有機物化學氣相淀積(MOCVD)系統,還都是在手套箱內部裝片,這種辦法效率低,外延片的質量差,需要進一步改善。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明提供一種提高金屬有機物化學氣相沉積設備生產效率的爐外裝片方法。本發明所述的方法用于提高金屬有機物化學氣相淀積系統生產效率、提高生產產量,具體的來說就是提高裝片效率,縮短操作時間,減輕勞動強度。
本發明的技術方案如下:
一種提高金屬有機物化學氣相沉積設備生產效率的爐外裝片方法,其特征在于,在金屬有機物化學氣相沉積設備外進行裝片、再將整個托盤和襯底一起放入預裝室,吹掃去除水氧、然后將托盤和襯底一起放入所述金屬有機物化學氣相沉積設備的反應室,進行生長。本發明所述方法可對德國金屬有機物化學氣相淀積設備生產廠商愛思強(AIXTRON)生產的CRIUS II型金屬有機物化學氣相淀積(MOCVD)系統進行改進,針對其在手套箱內部裝片,效率低,外延片的質量差的現狀,將手套箱內裝片改為手套箱外裝片,然后再將整個托盤和襯底一起放入預裝室,進行吹掃,去除其中的水氧,然后直接將托盤和襯底一起放入反應室,進行生長。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山東浪潮華光光電子股份有限公司,未經山東浪潮華光光電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711085464.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





