[發明專利]超低缺陷部件處理

在審

• 申請號: 201711079849.2
• 申請日: 2017-11-06
• 公開（公告）號: CN108130520A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 伊恩·斯科特·拉奇福德;瑪麗·安妮·普萊諾
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C16/02
• 分類號: C23C16/02;C23C14/02
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;邱曉敏

本發明涉及超低缺陷部件處理。一種用于去除和防止襯底處理室的組件的表面上的缺陷的方法包括：將所述組件裝載到真空室中；并且，在所述組件被裝載在所述真空室內的情況下，在第一預定時間段期間在烘烤溫度下烘烤所述組件以從所述組件的表面去除水和缺陷，以及在至少一個第二預定時間段期間清掃所述真空室內的所述組件以從所述真空室中除去所述缺陷。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年11月4日提交的美國臨時申請No.62/417,529和2016年11月11日提交的美國臨時申請No.62/420,709的權益。上述申請的全部公開內容通過引用并入本文。

技術領域

本公開涉及用于處理襯底的真空處理系統的組件的制造，以及使用諸如熱處理設備之類的真空處理設備來涂覆處理室的表面。

背景技術

這里提供的背景描述是為了總體呈現本公開的背景的目的。在此背景技術部分以及在提交申請時不能確定為現有技術的描述的各方面中描述的范圍內的當前指定的發明人的工作既不明確也不暗示地承認是針對本公開的現有技術。

襯底處理系統可用于處理諸如半導體晶片之類的襯底。可以在襯底上進行的示例性工藝包括但不限于化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、導體蝕刻、快速熱處理(RTP)、離子植入、物理氣相沉積(PVD)、和/或其它蝕刻、沉積或清潔工藝。襯底可以布置在襯底處理系統的處理室中的諸如基座、靜電卡盤(ESC)等襯底支撐件上。在處理期間，包括一種或多種前體的氣體混合物可以被引入到處理室中，并且可以使用等離子體來引發化學反應。

處理室包括各種組件，各種組件包括但不限于襯底支撐件、氣體分配裝置(例如，噴頭，其也可對應于上電極)、等離子體約束罩等。襯底支撐件可以包括布置成支撐晶片的陶瓷層。例如，在處理期間，晶片可以被夾持到陶瓷層。襯底支撐件可以包括圍繞襯底支撐件的外部部分(例如，在周邊的外側和/或鄰近周邊)布置的邊緣環。邊緣環可以被設置成將等離子體約束在襯底上方的體積中，保護襯底支撐件免受由等離子體等引起的侵蝕。等離子體約束罩或其它室工藝均勻性控制結構可以圍繞襯底支撐件和噴頭中的每一個布置以進一步將等離子體約束在襯底上方的體積內。

發明內容

一種用于去除和防止襯底處理室的組件的表面上的缺陷的方法包括：將所述組件裝載到真空室中；并且，在所述組件被裝載在所述真空室內的情況下，在第一預定時間段期間在烘烤溫度下烘烤所述組件以從所述組件的表面去除水和缺陷，以及在至少一個第二預定時間段期間清掃所述真空室內的所述組件以從所述真空室中除去所述缺陷。在其他特征中，所述方法還包括在從所述真空室移除所述組件并將所述組件安裝在所述襯底處理室內之前，任選地將保護性涂層沉積到所述組件的所述表面上。

在其他特征中，所述方法包括在從所述真空室移除所述組件并將所述組件安裝在所述襯底處理室內之前，任選地將保護性涂層沉積到所述組件的所述表面上。所述烘烤溫度為約200℃。所述組件對應于所述襯底處理室的噴頭。所述第二預定時間段在所述第一預定時間段之后。所述第一預定時間段和所述第二預定時間段重疊。

在其他特征中，執行所述清掃持續兩個或更多個所述第二預定時間段。所述兩個或更多個所述第二預定時間段在所述第一預定時間段內。所述烘烤和清掃在沉積所述保護性涂層之前重復兩次或更多次。

在其他特征中，所述保護性涂層以單層施加。所述保護性涂層包括疏水性材料。所述保護性涂層對應于硅烷涂層。所述保護性涂層包括有機硅烷。保護性涂層包括六甲基二硅氮烷(HMDS)。

在其他特征中，所述烘烤、所述清掃和沉積所述保護性涂層中的每一個在所述真空室內在維持在1托至760托的壓強下執行。所述清掃包括交替地向所述真空室提供清掃氣體和從所述真空室抽走材料。