[發(fā)明專利]一種超大板面減反射玻璃及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201711078723.3
• 申請日: 2017-11-06
• 公開（公告）號: CN107640910A
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曹行輝
• 申請（專利權(quán)）人: 上海北玻玻璃技術(shù)工業(yè)有限公司
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34
• 代理公司: 洛陽公信知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)41120
• 代理人: 陳利超

1.一種超大板面減反射玻璃，包括玻璃基片和鍍膜層，鍍膜層附著在玻璃基片其中一側(cè)的外表面上，其特征在于：所述的鍍膜層包括自玻璃基片至空氣面依次貼合在一起設(shè)置的第一層氮化硅層、第二層氧化硅層、第三層氮化硅層和第四層氧化硅層，所述的第一層氮化硅層厚度為10-16納米、第二層氧化硅層厚度為10-20納米、第三層氮化硅層厚度為10-15納米、第四層氧化硅層厚度為100-120納米。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超大板面減反射玻璃，其特征在于：所述的第一層氮化硅層厚度為14納米，第二層氧化硅層厚度為15納米、第三層氮化硅層厚度為12納米、第四層氧化硅層厚度為110納米。

3.一種制備如權(quán)利要求1所述的一種超大板面減反射玻璃的方法，其特征在于：包括如下步驟：

步驟一、需配備一條內(nèi)設(shè)有有分子泵、旋轉(zhuǎn)陰極、清洗機(jī)、硅鋁靶8根的磁控濺射鍍膜線，取用純度99.999%的氬氣、氧氣、氮氣各一瓶，且每個氣瓶上均配備氣體流量計，備用；

步驟二、調(diào)整步驟一中的鍍膜線真空度為3×10-6mbar，開始調(diào)試該鍍膜線，控制鍍膜線連續(xù)生產(chǎn)任意一種鍍膜產(chǎn)品持續(xù)三天時間，三天后繼續(xù)利用鍍膜線如果能夠生產(chǎn)其他鍍膜產(chǎn)品后，則該鍍膜線達(dá)到生產(chǎn)要求，備用；

步驟三、取鍍膜基片并放入步驟二中的鍍膜線內(nèi)將鍍膜基片傳輸?shù)藉兡ぞ€中的清洗機(jī)內(nèi)進(jìn)行清洗，將清洗機(jī)清洗后的鍍膜基片傳輸進(jìn)入鍍膜線中的鍍膜腔室內(nèi)進(jìn)行鍍膜處理，首先控制鍍膜腔室內(nèi)鍍氮化硅的靶材，同時控制氣體流量計通入工作氣體氬氣和氮氣，且氬氣和氮氣比例為1:2-2:1，同時旋轉(zhuǎn)陰極接通中頻電源使用，開始第一次鍍膜在鍍膜基片上形成厚度為14納米的第一層氮化硅層；其次鍍膜線持續(xù)工作控制鍍膜腔室內(nèi)鍍氧化硅的靶材，控制氣體流量計通入工作氣體氬氣和氧氣，且氬氣和氧氣比例為1:3-3:2，同時旋轉(zhuǎn)陰極接通中頻電源使用，開始第二次鍍膜在第一層氮化硅層上形成厚度為15納米的第二層氧化硅層；再次鍍膜線持續(xù)工作控制鍍膜腔室內(nèi)鍍氮化硅的靶材，控制氣體流量計通入工作氣體氬氣和氮氣，且氬氣和氮氣比例為1:2-2:1，同時旋轉(zhuǎn)陰極接通中頻電源使用，開始第三次鍍膜在第二層氧化硅層上形成厚度為12納米的第三層氮化硅層，鍍膜線持續(xù)工作控制腔室內(nèi)鍍氧化硅的靶材，控制氣體流量計通入工作氣體氬氣和氧氣，且氬氣和氧氣比例為1:3-3:2，同時旋轉(zhuǎn)陰極接通中頻電源使用，開始第四次鍍膜在第三層氮化硅層上形成厚度為110納米的第四層氧化硅層，鍍膜結(jié)束形成鍍膜產(chǎn)品；

步驟四、取步驟三中鍍膜產(chǎn)品進(jìn)行可見光形成參數(shù)測量并與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)對比，符合要求后，超大板面減反射玻璃制備完成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超大板面減反射玻璃的制備方法，其特征在于：所述的清洗機(jī)內(nèi)需配備盤刷、滾刷、去離子水和加熱器，其中去離子水電阻≥2MΩ，水溫控制在30～40℃之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超大板面減反射玻璃的制備方法，其特征在于：所述的步驟三中的鍍膜基片為浮法原片，且鍍膜基片生產(chǎn)日期在15天以內(nèi)，表面無油漬。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超大板面減反射玻璃的制備方法，其特征在于：所述的步驟三中氬氣和氮氣比例為1:1.5，氬氣和氧氣比例為1：2。