[發明專利]陣列基板驅動電路的檢測方法有效
| 申請號: | 201711078250.7 | 申請日: | 2017-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN107610629B | 公開(公告)日: | 2019-07-09 |
| 發明(設計)人: | 袁志東;李永謙 | 申請(專利權)人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/00 | 分類號: | G09G3/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 李浩 |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 驅動 電路 檢測 方法 | ||
本公開提供了一種陣列基板驅動電路的檢測方法。該方法包括:在全導通階段,向電源端、數據輸入端、感測電壓端、第一柵極端和第二柵極端分別輸入第一電源電壓信號、第一數據電壓信號、第一感測電壓信號、第一柵極導通信號和第二柵極導通信號;在數據電壓變化階段,將第一數據電壓信號變為第二數據電壓信號;在電源電壓變化階段,將第一電源電壓信號變為第二電源電壓信號;在柵極信號變化階段,將第一柵極導通信號和第二柵極導通信號分別變為第一柵極截止信號和第二柵極截止信號;以及在測量階段,測量發光器件的第一電極端的電壓,并將所測量的電壓與理論電壓進行比較以確定陣列基板驅動電路是否正常,從而實現了對陣列基板驅動電路的檢測。
技術領域
本公開涉及顯示技術領域,特別涉及一種陣列基板驅動電路的檢測方法。
背景技術
在顯示行業中,OLED(Organic Light Emitting Diode,有機發光二極管)具有高對比度、高色域等優勢,是未來顯示面板發展的主流趨勢。尤其是AMOLED(Active MatrixOrganic Light Emitting Diode,主動矩陣有機發光二極體),其還具有可視角度廣、響應速度快等優點。但是,OLED產品對TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)背板的要求比較嚴格。OLED面板內部的像素驅動電路的線路非常復雜,不良線路種類非常多。例如這些像素驅動電路的線路可能會出現短路或斷路(或者稱為開路)的情況,導致像素驅動電路不正常。這將造成降低OLED產品良率、增加產品的后端成品費用等問題。
發明內容
本公開實施例解決的一個技術問題是:實現對陣列基板驅動電路是否正常的檢測。
根據本公開實施例的一個方面,提供了一種陣列基板驅動電路的檢測方法。所述陣列基板驅動電路包括像素驅動電路,所述像素驅動電路包括存儲電容器、第一開關晶體管、第二開關晶體管和第三開關晶體管,其中,所述第一開關晶體管的柵極、第一電極和第二電極分別連接第一柵極端、數據輸入端和所述存儲電容器的第一端,所述第二開關晶體管的柵極、第一電極和第二電極分別連接第二柵極端、感測電壓端和所述存儲電容器的第二端,所述第二端還連接至發光器件的第一電極端,所述第三開關晶體管的柵極、第一電極和第二電極分別連接所述第一端、所述發光器件的第一電極端和電源端。
所述檢測方法包括:在全導通階段,向所述電源端、所述數據輸入端、所述感測電壓端、所述第一柵極端和所述第二柵極端分別輸入第一電源電壓信號、第一數據電壓信號、第一感測電壓信號、第一柵極導通信號和第二柵極導通信號,使得所述第一開關晶體管、所述第二開關晶體管和所述第三開關晶體管均導通;在所述全導通階段結束后的數據電壓變化階段,將所述第一數據電壓信號變為第二數據電壓信號,所述第二數據電壓信號被存儲在所述存儲電容器的第一端;在所述數據電壓變化階段結束后的電源電壓變化階段,將所述第一電源電壓信號變為第二電源電壓信號;在所述電源電壓變化階段結束后的柵極信號變化階段,將所述第一柵極導通信號和所述第二柵極導通信號分別變為第一柵極截止信號和第二柵極截止信號,使得所述第一開關晶體管和所述第二開關晶體管均截止,所述第三開關晶體管在所述第二電源電壓信號和所述存儲電容器的第一端所存儲的第二數據電壓信號作用下的導通電阻大于所述第三開關晶體管在所述全導通階段在所述第一數據電壓信號作用下的導通電阻;以及在所述柵極信號變化階段結束后的測量階段,測量所述發光器件的第一電極端的電壓,并將所測量的電壓與理論電壓進行比較以確定所述陣列基板驅動電路是否正常。
可選地,在所測量的電壓與所述理論電壓的差值在預定范圍內的情況下,確定所述陣列基板驅動電路正常;在所測量的電壓與所述理論電壓的差值在所述預定范圍之外的情況下,確定所述陣列基板驅動電路異常。
可選地,所述第一開關晶體管、所述第二開關晶體管和所述第三開關晶體管均為NMOS晶體管;其中,所述第二數據電壓信號的電平高于所述第二電源電壓信號的電平。
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