[發(fā)明專利]陣列基板驅動電路的檢測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711078250.7
• 申請日: 2017-11-06
• 公開（公告）號: CN107610629B
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設計）人: 袁志東;李永謙
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G09G3/00
• 分類號: G09G3/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李浩

1.一種陣列基板驅動電路的檢測方法，所述陣列基板驅動電路包括像素驅動電路，所述像素驅動電路包括存儲電容器、第一開關晶體管、第二開關晶體管和第三開關晶體管，其中，所述第一開關晶體管的柵極、第一電極和第二電極分別連接第一柵極端、數(shù)據(jù)輸入端和所述存儲電容器的第一端，所述第二開關晶體管的柵極、第一電極和第二電極分別連接第二柵極端、感測電壓端和所述存儲電容器的第二端，所述存儲電容器的第二端還連接至發(fā)光器件的第一電極端，所述第三開關晶體管的柵極、第一電極和第二電極分別連接所述存儲電容器的第一端、所述發(fā)光器件的第一電極端和電源端；

所述檢測方法包括：

在全導通階段，向所述電源端、所述數(shù)據(jù)輸入端、所述感測電壓端、所述第一柵極端和所述第二柵極端分別輸入第一電源電壓信號、第一數(shù)據(jù)電壓信號、第一感測電壓信號、第一柵極導通信號和第二柵極導通信號，使得所述第一開關晶體管、所述第二開關晶體管和所述第三開關晶體管均導通；

在所述全導通階段結束后的數(shù)據(jù)電壓變化階段，將所述第一數(shù)據(jù)電壓信號變?yōu)榈诙?shù)據(jù)電壓信號，所述第二數(shù)據(jù)電壓信號被存儲在所述存儲電容器的第一端；

在所述數(shù)據(jù)電壓變化階段結束后的電源電壓變化階段，將所述第一電源電壓信號變?yōu)榈诙娫措妷盒盘枺?/p>

在所述電源電壓變化階段結束后的柵極信號變化階段，將所述第一柵極導通信號和所述第二柵極導通信號分別變?yōu)榈谝粬艠O截止信號和第二柵極截止信號，使得所述第一開關晶體管和所述第二開關晶體管均截止，所述第三開關晶體管在所述第二電源電壓信號和所述存儲電容器的第一端所存儲的第二數(shù)據(jù)電壓信號作用下的導通電阻大于所述第三開關晶體管在所述全導通階段在所述第一數(shù)據(jù)電壓信號作用下的導通電阻；以及

在所述柵極信號變化階段結束后的測量階段，測量所述發(fā)光器件的第一電極端的電壓，并將所測量的電壓與理論電壓進行比較以確定所述陣列基板驅動電路是否正常。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，

在所測量的電壓與所述理論電壓的差值在預定范圍內的情況下，確定所述陣列基板驅動電路正常；

在所測量的電壓與所述理論電壓的差值在所述預定范圍之外的情況下，確定所述陣列基板驅動電路異常。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，

所述第一開關晶體管、所述第二開關晶體管和所述第三開關晶體管均為NMOS晶體管；

其中，所述第二數(shù)據(jù)電壓信號的電平高于所述第二電源電壓信號的電平。

4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其中，

所述第二數(shù)據(jù)電壓信號的電平與所述第二電源電壓信號的電平的差值V_{Data_Vdd}的范圍為0V<V_{Data_Vdd}≤5V。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，

所述第一開關晶體管、所述第二開關晶體管和所述第三開關晶體管均為PMOS晶體管；

其中，所述第二數(shù)據(jù)電壓信號的電平低于所述第二電源電壓信號的電平。

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中，

所述第二數(shù)據(jù)電壓信號的電平與所述第二電源電壓信號的電平的差值V_{Data’_Vdd’}的范圍為-5V≤V_{Data’_Vdd’}<0V。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，在所述測量階段內，在測量所述發(fā)光器件的第一電極端的電壓之前，所述方法還包括：

將所述第一感測電壓信號變?yōu)榈诙袦y電壓信號；

其中，在所述第一開關晶體管、所述第二開關晶體管和所述第三開關晶體管均為NMOS晶體管的情況下，所述第二感測電壓信號為低于0V的電平；

在所述第一開關晶體管、第二開關晶體管和第三開關晶體管均為PMOS晶體管的情況下，所述第二感測電壓信號為高于0V的電平。