[發明專利]溝槽的形成方法和淺溝槽隔離結構的形成方法

在審

• 申請號: 201711077967.X
• 申請日: 2017-11-06
• 公開（公告）號: CN109755171A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 尹卓
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海立群專利代理事務所(普通合伙) 31291
• 代理人: 侯莉;毛立群

1.一種溝槽的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成硬掩膜層以及位于所述硬掩膜層之上的犧牲層，若干開口貫穿所述犧牲層和硬掩膜層；

對所述襯底進行刻蝕，以在所述襯底內形成設定深度的溝槽，進行所述刻蝕時，所述襯底與犧牲層的刻蝕速率相近。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，當達到所述犧牲層的蝕刻終點時，停止所述刻蝕步驟。

3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述襯底與犧牲層之間的刻蝕選擇比為0.8至1.2。

4.如權利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述襯底為硅襯底，所述犧牲層為多晶硅。

5.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕步驟所采用的源功率為150W～1500W、偏置功率為100W～800W。

6.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜層為氮化硅層。

7.如權利要求6所述的形成方法，其特征在于，還包括：在所述襯底上形成緩沖層，所述硬掩膜層覆蓋于所述緩沖層之上，所述開口露出所述緩沖層。

8.如權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述緩沖層為氧化硅層。

9.如權利要求7所述的形成方法，其特征在于，具有所述開口的犧牲層和硬掩膜層的形成方法包括：

在所述襯底上形成硬掩膜材料層和位于所述硬掩膜材料層上的犧牲材料層；

在所述犧牲材料層上形成圖形化光刻膠層；

以所述圖形化光刻膠層為掩膜進行刻蝕，以形成所述開口；

對所述襯底進行刻蝕之前，去除所述圖形化光刻膠層。

10.如權利要求9所述的形成方法，其特征在于，以所述圖形化光刻膠層為掩膜進行刻蝕的步驟包括：

對所述犧牲材料層、硬掩膜材料層進行主刻蝕；

對所述硬掩膜材料層進行過刻蝕，直至去除殘留的所述硬掩膜材料層。

11.一種淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，包括：

權利要求1至10任一項所述的形成方法；

形成至少填滿所述溝槽的絕緣層；

進行平坦化處理，以去除多余的所述絕緣層和硬掩膜層，剩余的填充在所述溝槽內的絕緣層形成所述淺溝槽隔離結構。