[發明專利]腔室裝卸載基片的方法有效
| 申請號: | 201711077605.0 | 申請日: | 2017-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN109755163B | 公開(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發明(設計)人: | 張璐 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝卸 載基片 方法 | ||
本發明提供一種腔室裝載基片的方法,包括以下步驟:包括裝載步驟和卸載步驟,所述裝載步驟包括:S1,至少打開背吹氣路上沿氣體流向最靠近基座的背吹通道的控制閥,以使所述背吹氣路中的至少部分被憋氣體自所述基座的背吹通道釋放至腔室中;S2,將基片放置在所述基座上并固定;S3,開通所述背吹氣路并打開氣源,以使氣源通過所述背吹氣路和所述背吹通道向所述基片的背面供氣。本發明對基片背吹時可以降低通氣瞬間的壓力,從而可以解決通氣瞬間壓力過大造成基片位置發生偏移的問題。
技術領域
本發明屬于半導體加工設備技術領域,具體涉及腔室裝卸載基片的方法。
背景技術
半導體器件的制造過程中,磁控濺射設備一般通過靜電卡盤(Electrostaticchuck,簡稱ESC)產生靜電引力來吸持固定和支撐晶片。在靜電卡盤的使用過程中,為了使基片上的溫度比較均勻,在基片和靜電卡盤的上表面之間通背吹氣體,該背吹氣體在靜電卡盤的作用下會在基片與靜電卡盤之間形成背壓。
圖1為具有背吹管路的腔室結構示意圖,請參閱圖1,該背吹管路包括:主路10和支路20,主路10的一端與氣源相連,一端與靜電卡盤上的背吹通道相連,主路10上沿氣流方向依次設置有第一閥11、流量控制器12和第二閥13,支路20的一端與第二閥13和背吹通道之間的管路連通,另一端與腔室1相連通;在支路20上設置有第三閥21。具體工作過程為:在基片固定在靜電卡盤上后,第二閥13、流量控制器12和第一閥11打開,流量控制器12控制背吹氣體的流量,此時,第三閥21關閉;在工藝完成之后,打開第三閥21并關閉第二閥13、流量控制器12和第一閥11,這樣,第二閥13和基片S之間的殘余氣體經過支路20輸送至腔室內,以經過腔室的冷泵抽走,防止殘余氣體對基片形成向上的作用力而使基片S的位置改變。
該腔室在使用過程中通常存在問題:背吹管路關閉后長時間保持未使用狀態,在再次通氣時會有相對較強的氣流會沖擊靜電卡盤表面的基片,造成基片位置發生偏移,從而后續機械手取片操作時可能會造成基片撞裂甚至撞碎。為此,現有技術中采用的手段是:如圖2所示,在基片固定在靜電卡盤上之后,先打開第三閥21;再依次打開第二閥13、流量控制器12和第一閥11,此時,支路20能夠分流來減少通往基片背面的氣流壓力,等待若干秒使得氣流處于穩定狀態后,關閉第三閥21,以確保流量控制器12準確控制向基片背吹的氣流量,達到預期背壓。
然而,采用上述現有技術的手段在實際應用中還存在以下問題:雖然支路20能夠分流來減少到達基片背面的氣流壓力,但是,仍然存在到達基片背面的壓力足夠大造成基片的位置發生偏移的情況,影響后期取片操作。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提出了一種腔室裝卸載基片的方法,對基片背吹時可以降低通氣瞬間的壓力,從而可以解決通氣瞬間壓力過大造成基片位置發生偏移的問題。
為解決上述問題之一,本發明提供了一種腔室裝卸載基片的方法,包括裝載步驟和卸載步驟,所述裝載步驟包括:
S1,至少打開背吹氣路上沿氣體流向最靠近基座的背吹通道的控制閥,以使所述背吹氣路中的至少部分被憋氣體自所述基座的背吹通道釋放至所述腔室中;
S2,將基片放置在所述基座上并固定;
S3,開通所述背吹氣路并打開氣源,以使氣源通過所述背吹氣路和所述背吹通道向所述基片的背面供氣。
優選地,所述步驟S1,包括:
打開所述背吹氣路上所有的控制閥,以使所述背吹氣路中的所有被憋氣體自所述基座的背吹通道釋放至所述腔室中。
優選地,所述步驟S1中:
沿所述背吹氣路的氣體流向的反方向依次打開所述背吹氣路上的所有的控制閥。
優選地,在步驟S1中還包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





