[發(fā)明專利]腔室裝卸載基片的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711077605.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109755163B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張璐 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝卸 載基片 方法 | ||
1.一種腔室裝卸載基片的方法,其特征在于,包括裝載步驟和卸載步驟,所述裝載步驟包括:
S1,至少打開(kāi)背吹氣路上沿氣體流向最靠近基座的背吹通道的控制閥,以使所述背吹氣路中的至少部分被憋氣體自所述基座的背吹通道釋放至所述腔室中;
S2,將基片放置在所述基座上并固定;
S3,開(kāi)通所述背吹氣路并打開(kāi)氣源,以使氣源通過(guò)所述背吹氣路和所述背吹通道向所述基片的背面供氣;
在所述步驟S1之前還包括:
所述腔室開(kāi)始執(zhí)行抽真空動(dòng)作;
移動(dòng)所述基座至取片位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔室裝卸載基片的方法,其特征在于,所述步驟S1,包括:
打開(kāi)所述背吹氣路上所有的控制閥,以使所述背吹氣路中的所有被憋氣體自所述基座的背吹通道釋放至所述腔室中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的腔室裝卸載基片的方法,其特征在于,所述步驟S1中:
沿所述背吹氣路的氣體流向的反方向依次打開(kāi)所述背吹氣路上的所有的控制閥。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的腔室裝卸載基片的方法,其特征在于,在步驟S1中還包括:
開(kāi)通釋放氣路,所述釋放氣路的一端連接在所述背吹通道和所述背吹氣路上沿氣體流向最靠近基座的背吹通道的控制閥之間;所述釋放氣路的另一端與所述腔室連通,以使所述被憋氣體還自所述釋放氣路釋放至所述腔室中;
所述步驟S3中還包括:
關(guān)閉所述釋放氣路。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的腔室裝卸載基片的方法,其特征在于,
所述卸載步驟,包括:
S10,關(guān)閉氣源和斷開(kāi)所述背吹氣路,開(kāi)通所述釋放氣路,使所述背吹氣路上,沿氣體流向最靠近基座的背吹通道的控制閥和所述基座之間的氣路中的氣體,釋放至所述腔室內(nèi);
S11,釋放所述基片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔室裝卸載基片的方法,其特征在于,所述步驟S2包括:
打開(kāi)所述腔室的門閥;
自所述門閥將所述基片放置在所述基座上;
關(guān)閉所述腔室的門閥;
移動(dòng)所述基座至工藝位置;
將所述基片固定在所述基座上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的腔室裝卸載基片的方法,其特征在于,所述步驟S2包括:
將所述基片放置在基座上;
采用靜電吸附方式固定所述基片。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的腔室裝卸載基片的方法,其特征在于,所述步驟S11中包括:
中和靜電吸附固定時(shí)所產(chǎn)生的靜電電荷,以釋放基片。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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