[發明專利]半導體裝置、半導體結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201711077497.7
• 申請日: 2017-11-06
• 公開（公告）號: CN108735705B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 彭士瑋;陳志良;楊超源;楊惠婷;曾健庭;林威呈
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

第一圖案金屬層，設置在第一供電金屬區與第二供電金屬區之間，其中所述第一圖案金屬層、所述第一供電金屬區與所述第二供電金屬區彼此平行排列，所述第一圖案金屬層包括：

第一內部路線；以及

第一電源路線，其中所述第一內部路線與所述第一電源路線共線地排列；以及

跟隨引腳，將所述第一供電金屬區耦合到所述第一電源路線。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二供電金屬區比所述第一供電金屬區寬。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一供電金屬區具有與所述第一圖案金屬層實質上相同的厚度。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還包括：

第二圖案金屬層，設置在所述第一供電金屬區與所述第二供電金屬區之間，其中所述第二圖案金屬層包括：

第二內部路線；及

第二電源路線，

其中所述跟隨引腳將所述第一供電金屬區耦合到所述第二電源路線。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一供電金屬區是供電電源或漏極電壓，且

所述第二供電金屬區是接地電源或源極電壓。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一供電金屬區及所述第二供電金屬區包括第一金屬，且所述跟隨引腳包括第二金屬。

7.一種半導體結構，其特征在于，包括：

第一單元，包括：

第一供電金屬線；

第二供電金屬線，具有比所述第一供電金屬線的寬度大的寬度；以及

第一圖案金屬層，設置在所述第一供電金屬線與所述第二供電金屬線之間，且具有與所述第一供電金屬線的寬度實質上相同的寬度，其中所述第一圖案金屬層包括：

第一內部路線；以及

第一電源路線；以及

第二單元，形成在所述第一單元下方且包括：

第三供電金屬線，緊鄰所述第一供電金屬線且具有與所述第一供電金屬線實質上相同的寬度；

第四供電金屬線，遠離所述第二供電金屬線且具有比所述第三供電金屬線的寬度大的寬度；以及

第二圖案金屬層，設置在所述第三供電金屬線與所述第四供電金屬線之間，且具有與所述第三供電金屬線的寬度實質上相同的寬度，其中所述第二圖案金屬層包括第二內部路線。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，還包括：

第一單元內跟隨引腳，將所述第一供電金屬線耦合到所述第三供電金屬線。

9.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，還包括第五供電金屬線，位于所述第一供電金屬線與所述第三供電金屬線之間且具有介于所述第三供電金屬線的寬度的1.5倍到3倍之間的寬度，其中所述第一單元內跟隨引腳進一步耦合到所述第五供電金屬線。

10.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，所述第一單元內跟隨引腳耦合到所述第一電源路線或所述第二圖案金屬層中的第二電源路線。

11.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，還包括：

第一柱狀金屬結構，位于所述第一單元與所述第二單元外部且將所述第一供電金屬線耦合到所述第三供電金屬線；以及

第二柱狀金屬結構，位于所述第一單元與所述第二單元外部且將所述第一供電金屬線耦合到所述第三供電金屬線。

12.根據權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，還包括兩個多晶硅結構，位于所述第一單元內且界定第一節距，其中所述第一柱狀金屬結構與所述第二柱狀金屬結構分別是單個柱狀引腳，且所述第一柱狀金屬結構與所述第二柱狀金屬結構界定第二節距，所述第二節距比所述第一節距大24倍到30倍之間。