[發明專利]一種柔性OLED顯示面板的制備方法及柔性OLED顯示面板

有效

• 申請號: 201711077122.0
• 申請日: 2017-11-06
• 公開（公告）號: CN107819021B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 趙瑜;陳彩琴;明星
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

本發明提供了一種柔性OLED顯示面板的制備方法，包括提供硬質基板，在硬質基板上制備柔性基底層，在柔性基底層上依次制備緩沖層、半導體層、第一柵絕緣層，并進行溝道摻雜，在第一柵絕緣層上制備第一柵極，并進行源漏極摻雜；經活化處理后，在第一柵極上制備第二柵絕緣層；經氫化處理后，在第二柵絕緣層上依次制備第二柵極、有機間絕緣層、源漏極、平坦層和OLED結構，最后采用激光剝離工藝將硬質基板與柔性基底層分離，得到柔性OLED顯示面板。本發明的柔性OLED顯示面板制備過程中將活化和氫化工藝提前，省略了間絕緣層中無機間絕緣層的制備，減少柔性OLED顯示面板厚度，縮短生產流程。

技術領域

本發明涉及顯示面板技術領域，尤其涉及一種柔性OLED顯示面板的制備方法及柔性OLED顯示面板。

背景技術

有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)由于具有優異的顯示性能，如自發光、廣視角、較低耗電、響應速度快、可實現柔性顯示等特點，越來越多的被廣泛應用于手機、電視、電腦等電子產品的顯示面板中。

現有OLED顯示面板包括OLED器件和薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列基板，其制備過程中需要進行溝道摻雜和源漏極摻雜，在此過程中會造成多晶硅損傷，需要進行活化對其進行修復，并且多晶硅層與柵氧化層的界面存在未成鍵軌道的懸掛鍵，造成多晶硅層界面密度增加，后續還需要通過氫化過程鈍化多晶硅層內部和界面的缺陷。目前，活化的方法有高溫爐退火、激光活化法等，都需要在較高的溫度下進行活化，由于間絕緣層包括了無機間絕緣層和有機間絕緣層，導致其的厚度較大，容易在高溫下由于熱膨脹導致的應力過大而引起剝落。而氫化工藝需要穿過多層薄膜進入多晶硅層，使得氫擴散距離很長，同時為了能夠充分氫化，需要長時間的加熱，也會導致間絕緣層出現裂紋，增加了能耗和OLED顯示面板的生產成本。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種柔性OLED顯示面板的制備方法，通過將傳統柔性OLED顯示面板制備過程的活化和氫化工藝提前，省略了間絕緣層中無機間絕緣層的制備，保證間絕緣層的質量，減少柔性OLED顯示面板厚度，縮短生產流程，降低生產成本，提高了電學性能和可靠性，并同時保持原有柔性OLED顯示面板的其他性能。本發明還提供了由該方法制備得到的柔性OLED顯示面板。

第一方面，本發明提供了一種柔性OLED顯示面板的制備方法，包括：

提供硬質基板，在所述硬質基板上制備柔性基底層；

在所述柔性基底層上依次制備緩沖層、半導體層、第一柵絕緣層，并進行溝道摻雜；

在所述第一柵絕緣層上制備第一柵極，并進行源漏極摻雜；

經活化處理后，在所述第一柵極上制備第二柵絕緣層；

經氫化處理后，在所述第二柵絕緣層上依次制備第二柵極、有機間絕緣層、源漏極、平坦層和OLED結構；

最后采用激光剝離工藝將所述硬質基板與所述柔性基底層分離，得到柔性OLED顯示面板。

可選的，所述活化處理為：于400℃-600℃溫度下退火10min-120min。

進一步可選的，所述活化處理的溫度設置為450℃，所述活化處理的時間為60min。

可選的，所述氫化處理采用等離子體氫化法、固態擴散法或氫離子注入法。

可選的，所述氫化處理過程中氫化溫度為250℃-450℃，所述氫化處理時間為0.5h-4h。

可選的，所述有機間絕緣層的材質包括聚酰亞胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、硅基倍半氧烷樹脂中的一種或多種。

可選的，所述有機間絕緣層的厚度為0.8μm-1.2μm。