[發明專利]包括溝道結構的半導體器件

有效

• 申請號: 201711076689.6
• 申請日: 2017-11-06
• 公開（公告）號: CN108074935B
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 孫龍勛;金潤載;南碩祐
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11556
• 分類號: H01L27/11556;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種半導體器件，包括：

堆疊結構，設置在半導體襯底上，所述堆疊結構包括交替堆疊的層間絕緣層和柵電極；

多個分隔圖案，設置在所述半導體襯底上并穿透所述堆疊結構；

溝道結構，設置在所述多個分隔圖案中的兩個相鄰的分隔圖案之間，所述溝道結構包括插置在所述堆疊結構與所述半導體襯底之間同時與所述半導體襯底接觸的水平部分，并且包括在垂直方向上從所述水平部分延伸并穿透所述堆疊結構的多個垂直部分；

下部結構，插置在所述水平部分與所述分隔圖案之間；以及

電介質結構，插置在所述多個垂直部分與所述堆疊結構之間并在所述水平部分與所述堆疊結構之間延伸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述下部結構的下表面與所述水平部分的下表面共平面。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述下部結構包括第一下部圖案和設置在所述第一下部圖案上的第二下部圖案。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述第二下部圖案比所述第一下部圖案厚。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述第一下部圖案由絕緣材料形成，并且所述第二下部圖案由多晶硅形成。

6.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述第一下部圖案與所述水平部分接觸，所述第二下部圖案設置為與所述水平部分間隔開，并且所述電介質結構在所述水平部分與所述第二下部圖案之間延伸。

7.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述第一下部圖案和所述第二下部圖案與所述水平部分接觸。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括在所述分隔圖案的側表面上的絕緣間隔物，

其中所述分隔圖案通過所述絕緣間隔物與所述柵電極間隔開。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括設置在所述半導體襯底中并與所述分隔圖案相鄰的雜質區域。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述下部結構包括第一下部圖案和設置在所述第一下部圖案上的第二下部圖案，并且所述第一下部圖案由具有與所述雜質區域的導電類型相同的導電類型的多晶硅形成。

11.一種半導體器件，包括：

多個柵電極，設置在半導體襯底上；

溝道結構，包括與所述半導體襯底接觸并設置在所述多個柵電極下面的水平部分，并且包括在垂直方向上從所述水平部分延伸并穿透所述多個柵電極的多個垂直部分；

電介質結構，覆蓋所述水平部分的上表面，在所述多個垂直部分的側表面上延伸并插置在所述多個垂直部分與所述多個柵電極之間；以及

下部結構，插置在所述多個柵電極與所述半導體襯底之間，

其中所述下部結構的下表面與所述水平部分的下表面共平面。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中所述下部結構包括第一下部圖案和設置在所述第一下部圖案上同時比所述第一下部圖案厚的第二下部圖案，并且所述第二下部圖案由多晶硅形成。

13.根據權利要求11所述的半導體器件，還包括：穿透所述多個柵電極并延伸到所述半導體襯底的內部的分隔圖案；以及設置在所述半導體襯底中并與所述分隔圖案相鄰的雜質區域，

其中所述下部結構插置在所述分隔圖案與所述水平部分之間。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中所述下部結構包括由具有與所述雜質區域的導電類型相同的導電類型的多晶硅形成的下部圖案。

15.根據權利要求11所述的半導體器件，其中所述下部結構具有面對所述水平部分的側表面，并且所述下部結構的所述側表面的至少一部分與所述水平部分接觸。