[發明專利]晶體管和晶體管制造方法

有效

• 申請號: 201711076142.6
• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN108022976B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 黃北洲
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 王麗

1.一種晶體管結構，其特征在于，包括：

源極，

漏極，以及

源極和漏極之間的有源層；

絕緣層，形成在有源層上；

介電層，形成在絕緣層上；

柵極，形成在介電層上；

鈍化層，形成在柵極上；

所述有源層包括二氧化硅框架，所述二氧化硅框架內設置包含銦鎵鋅氧化物的合成納米材料；

所述二氧化硅框架包括多個圓柱形的孔洞，所述孔洞貫穿二氧化硅框架，所述合成納米材料填充于所述孔洞內；

所述合成納米材料還包括鍺和硅；

所述孔洞的直徑范圍是2-7納米；所述孔洞的孔壁厚度范圍是1-2納米。

2.根據權利要求1所述的晶體管結構，其特征在于，所述二氧化硅框架采用有機分子模版自組裝技術制成。

3.根據權利要求1所述的晶體管結構，其特征在于，所述孔洞按六邊形規則排布。

4.根據權利要求1所述的晶體管結構，其特征在于，所述孔洞的孔壁上設置有銦鎵鋅氧化材料的納米晶體。

5.一種晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成源極和漏極，以及源極和漏極之間的有源層；

在有源層上形成絕緣層；

在絕緣層上形成介電層；

在介電層上形成柵極；

在柵極上形成鈍化層；

所述有源層的形成方法包括：

在晶體管的有源層結構中形成二氧化硅框架；

在二氧化硅框架內形成包含銦鎵鋅氧化物的合成納米材料；

所述二氧化硅框架包括多個圓柱形的孔洞，所述孔洞貫穿二氧化硅框架，所述合成納米材料填充于所述孔洞內；

所述合成納米材料還包括鍺和硅；

所述孔洞的直徑范圍是2-7納米；所述孔洞的孔壁厚度范圍是1-2納米。

6.根據權利要求5所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述形成二氧化硅框架的方法包括：

形成膠束；

將膠束形成膠束棒；

將膠束棒按六角形排列形成六角形陣列；

將六角形陣列根據有機分子模板自組裝機制形成模板中間組；

將模板中間組培燒去除模板形成二氧化硅框架。